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Diffusionsbereiche
Diffusionsgebiete
Diffusionsbereich
Diffusionszonen
p-Isolations-Diffusionsgebiete
A laminate, according to any of the preceding claims, wherein the light-transmissive base or bases has or have diffusion regions.
Schichtstoff nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der lichtdurchlässige Träger oder die lichtdurchlässigen Träger Diffusionsbereiche hat bzw. haben.
The memory on a semiconductor substrate of claim 1, wherein the first and second diffusion regions are aligned with respect to said first and second sides, respectively, of said floating gate, and extend vertically into the semiconductor substrate.
Speicher auf einem Halbleitersubstrat nach Anspruch 1, wobei die ersten und zweiten Diffusionsbereiche bezüglich der ersten bzw. zweiten Seiten des Floating Gate ausgerichtet sind und sich vertikal in das Halbleitersubstrat hinein erstrecken.
By diffusion out from the doped silicon structure diffusion regions (11) neighbouring the trench are produced and an insulating structure (9) is produced in the trench by autoxidation of the doped silicon structure.
Durch Ausdiffusion aus der dotierten Siliziumstruktur werden dem Graben benachbarte Diffusionsgebiete (11) und durch Aufoxidation der dotierten Siliziumstruktur eine Isolationsstruktur (9) im Graben erzeugt.
By providing the side walls of the trench with a dopant-containing cover layer and diffusion out from the cover layer, diffusion regions (8) neighbouring the trench are produced.
Durch Versehen der Seitenwände des Grabens mit einer Dotierstoff enthaltenden Belegungsschicht und Ausdiffusion aus der Belegungsschicht werden dem Graben benachbarte Diffusionsgebiete (8) erzeugt.
The method according to claims 4 or 6, wherein said step 3) of forming a metal contact pattern includes forming ohmic contacts between said metal contact pattern and said first diffusion regions by sintering through said passivating and/or said anti-reflection coating.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 4 oder 6, wobei der Schritt 3) zum Ausbilden eines Metallkontaktmusters ein Ausbilden ohmscher Kontakte zwischen den Metallkontaktmustern und dem ersten Diffusionsbereich durch Sintern durch die Passivierungs- und/oder Antireflexbeschichtung aufweist.
The semiconductor memory (40) of claim 12 wherein the gate conductor shared between the true bank bit line switch and the complementary bank bit line switch of the given set is U-shaped and extends between the first and second centralized diffusion regions.
Halbleiterspeicher (40) nach Anspruch 12, wobei der Gate-Leiter, der zwischen dem echten Bankbitleitungsschalter und dem ergänzenden Bankbitleitungsschalter des gegebenen Satzes geteilt wird, U-förmig ist und sich zwischen dem ersten und dem zweiten zentralisierten Diffusionsbereich erstreckt.
Between these two diffusion regions, a channel is formed through which an electrically conductive connection by means of a channel formed over the gate electrode can be prepared.
Zwischen diesen beiden Diffusionsbereichen wird ein Kanal ausgebildet, über den eine elektrisch leitende Verbindung mit Hilfe einer über dem Kanal ausgebildeten Gate-Elektrode hergestellt werden kann.
The integrated circuit module of claim 24, wherein the local bit lines (121,123) and the local source line (122) in the plurality of segments comprise buried diffusion regions in the semiconductor substrate.
Integrierter Schaltkreismodul nach Anspruch 24, wobei die lokalen Bitleitungen (121,123) und die lokale Sourceleitung (122) in der Mehrzahl von Segmenten eingegrabene Diffusionsbereiche in dem Halbleitersubstrat aufweisen.
Storage cell in accordance with claim 1, characterized in that said channel region of the substrate (10) is defined by first and second diffusion regions (14, 18) formed in said substrate (10).
Speicherzelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kanalbereich des Substrats (10) durch erste und zweite Diffusionsbereiche (14, 18) festgelegt ist, die in dem Substrat (10) ausgebildet sind.
The semiconductor integrated device of claim 7, wherein each pair of mutually adjacent semiconductor blocks (11) have their diffusion regions (4) on mutually opposite sides of the substantially linear array.
Integrierte Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7, wobei jedes Paar von wechselseitig benachbarten Halbleiterblöcken (11) seine Diffusionsbereiche (4) auf wechselseitig entgegengesetzten Seiten der im Wesentlichen linearen Anordnung hat.
The semiconductor apparatus as claimed in any preceding claim, wherein said first diffusion region (17), said second diffusion region (15), and said third diffusion region (19) are single-layered diffusion regions having a second conductivity type.
Halbleitervorrichtung nach einem vorhergehenden Anspruch, wobei der erste Diffusionsbereich (17), der zweite Diffusionsbereich (15) und der dritte Diffusionsbereich (19) einlagige Diffusionsbereiche eines zweiten Leitfähigkeitstyps sind.
The method of claim 1, wherein the substrate locations (26, 28, 30) comprise diffusion regions (27, 29, 31) received within the substrate (22).
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Substratpositionen (26, 28, 30) innerhalb des Substrats (22) aufgenommene Diffusionsbereiche (27, 29,31) aufweisen.
The memory on a semiconductor substrate of claim 3, wherein; said inhibit mask dielectric material comprises silicon nitride; said dielectric comprises silicon oxide; said first and said second diffusion regions have an n-type conductivity; and said floating gate comprises polysilicon.
Speicher auf einem Halbleitersubstrat nach Anspruch 3, wobei: das dielektrische Schutzmaskenmaterial Siliciumnitrid aufweist; das Dielektrikum Siliciumoxid aufweist; die ersten und die zweiten Diffusionsbereiche eine n-Typ-Leitfähigkeit haben; und das Floating Gate Polysilicium aufweist.
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