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diffusion regions
Durch Ausdiffusion aus der dotierten Siliziumstruktur werden dem Graben benachbarte Diffusionsgebiete (11) und durch Aufoxidation der dotierten Siliziumstruktur eine Isolationsstruktur (9) im Graben erzeugt.
By diffusion out from the doped silicon structure diffusion regions (11) neighbouring the trench are produced and an insulating structure (9) is produced in the trench by autoxidation of the doped silicon structure.
Durch Versehen der Seitenwände des Grabens mit einer Dotierstoff enthaltenden Belegungsschicht und Ausdiffusion aus der Belegungsschicht werden dem Graben benachbarte Diffusionsgebiete (8) erzeugt.
By providing the side walls of the trench with a dopant-containing cover layer and diffusion out from the cover layer, diffusion regions (8) neighbouring the trench are produced.
Speicher nach Anspruch 1 oder 2, wobei das besagte Schaltmittel (Tn) ebenso im wesentlichen dieselbe Größe und Form hat wie jedes der besagten Diffusionsgebiete (D).
A memory as set forth in claim 1 or 2 wherein said switching device (Tn) has also substantially the same size and shape as each of said diffusion regions (D).
Damit bei diesem sehr geringen Abstand keine Überlappung der Raumladungs-Zonen auftritt, müssen die Diffusionsgebiete der Trenches entweder durch eine isolierende Schicht voneinander getrennt, oder die Diffusionsgebiete sehr flach gehalten werden.
Thus, no overlap of the space-charge zones occurring in this very small distance, the diffusion regions of the trenches either separated by an insulating layer or the diffusion regions must be kept very flat.
Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die besagten gemeinsamen Diffusionsgebiete (D) und die besagten Speicherknoten (32) N+ Diffusionsgebiete sind und das besagte Substrat (26) eine P-Typ Leitfähigkeit hat.
A memory as set forth in one of claims 1 to 4 wherein said common diffusion regions (D) and said storage nodes (32) are N+ diffusion regions and said substrate (26) has a P type conductivity.
Der Photodetektor nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Diffusionsgebiete (7b) in einer Matrixanordnung auf der Oberfläche des Substrats (7a) angeordnet sind, so daß die Diffusionsgebiete in horizontalen und vertikalen Richtungen auf der Oberfläche ausgerichtet sind.
The photodetector as claimed in claim 11, characterized in that said diffusion regions (7b) are arranged in a matrix arrangement on the surface of said substrate (7a) so that the diffusion regions are aligned in horizontal and vertical directions on the surface.
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