Verfahren zum Löschen eines Thyristors und Halbleiterbaustein zur Ausführung des Verfahrens.
Rekonfigurierbarer Prozessor mit einem Konfigurations-Cache sowie Halbleiterbaustein
Der Massenfluss-Detektor basiert auf einem Sensorelement, das zusammen mit einer digitalen und analogen Auswertung auf einem Halbleiterbaustein integriert ist.
The mass flow detector is based on a sensor element that is integrated on a semiconductor chip together with a digital and analogous evaluation unit.
Ferner weist der Informationsträger einen Halbleiterbaustein (7) auf, der im Kunststoffkörper (1) eingegossen ist und Kontakte (8) oder eine Antenne aufweist, um mit einem externen Gerät zu kommunizieren.
Furthermore, the data carrier comprises a semiconductor chip (7) embedded in plastic body (1) and having contacts (8) or an antenna for communicating with an external apparatus.
Ein Varistor ist ein Halbleiterbaustein, mit der Fähigkeit, Spannung zu begrenzen.
Varistor is a semiconductor component with voltage reduction capability.
ZusammenfassungEin auf einem Halbleiterbaustein (1) integrierter Sensor, insbesondere ein Flusssensor, besitzt ein Messelement (2) auf einer Membran (5).
The invention relates to a sensor (1), especially a flow sensor, which is integrated on a semiconductor component and has a measuring element (2) on a membrane (5).
Halbleiterbaustein zur Steuerung einer Anzeigematrix, z.B. für einen Bordcomputer eines Kfz.
Semiconductor device for controlling a matrix display, e.g. for a motor vehicle board computer.
Elektronikgerät, welches mit dem Halbleiterbaustein gemäß Anspruch 8 oder 9 versehen ist.
An electronic instrument provided with the semiconductor device as defined in claim 8 or 9.
Elektromagnetischer Geräuschunterdrücker, Halbleiterbaustein mit einem solchen Elektromagnetischen Geräuschunterdrücker, und Verfahren zur Herstellung
Electromagnetic noise suppressor, semiconductor device using the same, and method of manufacturing the same
Verfahren zum Herstellen eines Hohlraums in einem monokristallinen Siliziumsubstrat und Halbleiterbaustein mit einem Hohlraum in einem monokristallinen Siliziumsubstrat mit einer epitaktischen Deckschicht
Method for forming a cavity in a monocrystalline silicon substrate and semiconductor device with a cavity in a monocrystalline silicon substrate with an epitaxial cover layer
Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Rohrteil (2, 2a, 2b) separat vom Halbleiterbaustein gefertigt wird.
Method according to claim 19, wherein the tube part (2, 2a, 2b) is produced separately from the semiconductor device.
Halbleiterbaustein, der folgendes umfasst: eine Isolationsstruktur gemäß Anspruch 10; und einen Transistor, der angrenzend an die genannte Isolationsstruktur angeordnet ist, wobei der genannte Transistor folgendes umfasst
A semiconductor device comprising: an isolation structure as claimed in claim 10, and a transistor formed adjacent said isolation structure, said transistor comprising
Halbleiterbaustein nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht (33) eine leitfähige Schicht ist, deren Dicke nicht größer als ungefähr 100 nm ist.
The semiconductor device of any one of claims 1 to 3, characterised in that said first layer (33) is a conductive layer having a thickness no greater than about 100nm.