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InGaAs
Vertaling van "InGaAs" in Duits
InGaAs
InGaAs-Schicht
InGaAs-System
InGaAs-Photodiode
InGaAs-Kanalschicht
InGaAs-Lichtempfangsschicht
According to a preferred embodiment, the light detector (3) comprises a InGaAs photodiode.
Gemäss einer bevorzugten Ausführungsform umfasst der Lichtde- Detektor (3) eine InGaAs-Photodiode.
The method of fabricating a semiconductor laser of any one of the preceding claims, wherein the active layer (25) is formed of InGaAs.
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Lasers gemäß einem der oben genannten Ansprüche, bei dem die aktive Schicht (25) aus InGaAs besteht.
The mode transformer of any of claims 5 to 9 wherein the substrate comprises the first composition, the first composition being InGaAs.
Modentransformer nach einem der Ansprüche 5-9, wobei das Substrat die erste Zusammensetzung beinhaltet, wobei die erste Zusammensetzung InGaAs ist.
An analog photodiode module as claimed in claim 13, wherein the light receiving layer of the photodiode (3) is made from InGaAs.
Analoges Photodiodenmodul nach Anspruch 13, bei dem die Lichtaufnahmeschicht der Photodiode (3) aus InGaAs besteht.
Semiconductor laser according to any one of claims 7 to 18, characterised in that the layer provided for the tunnel junction (7) consists of a highly p- and n-doped InGaAs layer.
Halbleiterlaser nach einem der Ansprüche 7 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die für den Tunnelkontakt (7) vorgesehene Schicht aus jeweils einer hoch p- und n-dotierten InGaAs-Schicht besteht.
A field-effect semiconductor device according to any one of claims 1, 2 or 3, characterized in that the channel layer (44) is composed of InGaAs.
Feldeffekt-Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Kanalschicht (44) aus InGaAs besteht.
The method of producing a semiconductor device as claimed in claim 9, characterized in that said step of preparing the stacked structure forms said intrinsic channel layer (2) from intrinsic InGaAs.
Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß beim Vorbereiten des geschichteten Aufbaus die eigenleitende Kanalschicht (2) aus eigenleitendem InGaAs ausgebildet wird.
A field-effect transistor according to claim 1, wherein said channel layer (3) is made of undoped InGaAs.
Ein Feldeffekt-Transistor nach Anspruch 1, wobei die Kanalschicht (3) aus undotiertem InGaAs hergestellt ist, die Halbleiterschicht (4) aus undotiertem InP hergestellt ist und die Elektronen-Bereitstellungsschicht (5) aus n-AlInAs hergestellt ist.
Method of fabricating a surface coupled InGaAs photodetector
Herstellungsverfahren für einen oberflächen-gekoppelten InGaAs Photodetektor
The quantum well laser diode of claim 1 wherein said active layer (6;25;46;66) is a non-doped quantum well layer made of InGaAs and having a thickness of 20 nm or less.
Quantumwell-Laserdiode nach Anspruch 1, wobei die aktive Schicht (6; 25; 46; 66) eine nicht-dotierte Quantumwell-Schicht ist, und zwar hergestellt aus InGaAs mit einer Dicke von 20 nm oder weniger.
A semiconductor structure as claimed in claim 6, characterized in that said second material layer (12) comprises InGaAs with a composition set to establish a lattice matching with said first material layer (11).
Halbleiterstruktur nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Materialschicht (12) InGaAs umfaßt, mit einer Zusammensetzung, die festgelegt ist, um im Gitter an die erste Materialschicht (11) angepaßt zu sein.
The semiconductor laser according to claim 5, characterized in that said InGaAs layer (31, 32) has an impurity concentration of 1 x 10 18/cm 3.
Halbleiterlaser nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die InGaAs-Schicht (31, 32) eine Störstellenkonzentration von 1 x 10 18/cm 3 aufweist.
The photoreceiver of claim 2, wherein said p-type doped InGaAs layer (7) serves as a base layer for said single heterojunction bipolar transistor (18).
Lichtempfänger nach Anspruch 2, bei dem die InGaAs-Schicht (7) mit p-Typ-Dotierung als eine Basisschicht für den bipolaren Einzel-Heterojunction-Transistor (18) dient.
Synoniemen voor InGaAs in het Engels
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