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InGaN
Vertaling van "InGaN" in Engels
InGaN
in-gan
Es verfügt über einen eingebauten Kartenleser und ein verkabeltes InGaN...
It has a built-in card reader and has a wired input...
Neben den Lokalisierungseffekten bestimmen interne elektrische Felder die optischen Eigenschaften von InGaN.
Beside the localization effects internal electric fields influence the optical properties of InGaN.
Die Quantentöpfe der ersten Sorte enthalten InGaN, wobei der Indiumgehalt so gewählt ist, dass der Quantentopf bei Anregung im Bereich von UV-beziehungsweise violettem Licht Strahlung emittiert.
The quantum wells of the first type contain InGaN, wherein the indium content is chosen such that the quantum well emits when excited in the range of ultraviolet or violet light radiation.
Ihm gelang es, dieses Problem mit Hilfe einer auf Indiumgalliumnidrit (InGaN) basierenden Heterostruktur zu lösen.
He managed to solve this problem by using a heterostructure based on indium gallium nitride InGaN.
Dabei werden übereinander zwei Schichten von InGaN mit unterschiedlichen Mischungsverhältnissen aufgebracht, was aufgrund der relativen großen Störstellentoleranz des Werkstoffes möglich ist.
It is possible to grow multiple layers with different bandgaps, as the material is relatively insensitive to defects introduced by a lattice mismatch between the layers.
Die blauen und grünen LED-Dioden bestehen hauptsächlich aus Galliumnitrid und Indiumgalliumnitrid (GaN und InGaN).
The components of blue and green diodes, on the other hand, are manufactured mainly from gallium nitride (GaN) and indium gallium nitride (InGaN).
Jedoch zeigten InGaN Schichten mit mittlerem InN Anteil ein hohes Maß an Unordnung, was sich negativ auf die Kristallqualität auswirkt.
However, InGaN layers with medium InN contents showed a high degree of disorder, a factor which impacted negatively on crystal quality.
Lichtquelle nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß als primäre Strahlungsquelle eine blau emittierende Leuchtdiode auf Basis von InGaN verwendet wird, deren Peakemissionswellenlänge im Bereich 440 bis 465 nm liegt.
Light source according to Claim 9, characterized in that a blue-emitting light-emitting diode based on InGaN, the peak emission wavelength of which is in the range from 440 to 465 nm, is used as the primary radiation source.
Im Gegensatz zu InGaN-Leuchtdioden wird diese bei hohen Anregungsdichten in einer InGaN-LD nicht durch Lokalisierungseffekte, sondern durch die Sättigung bzw. Abschirmung der in InGaN reichlich vorhandenen nichtstrahlenden Rekombinationszentren durch angeregte Ladungsträger bestimmt.
While at low excitation intensities in InGaN light emitting devices the optical properties are governed by localization effects, at high excitation intensities in an InGaN LD the saturation/screening of nonradiative recombination centers by the excited carriers is the major effect.
Laser-Einrichtung aus einem III-V-Nitrid-Halbleiter nach Anspruch 5, die ferner eine Zwischenschicht aus InGaN (13) zwischen der n-seitigen Führungsschicht (5) und der aktiven Schicht (6) umfasst.
The III-V nitride semiconductor laser device according to claim 5, further comprising an intermediate layer of InGaN (13) between said n-side guide layer (5) and said active layer (6).
Damit konnten qualitativ gute InGaN Schichten mit einem InN Anteil zwischen 40% und 85% erfolgreich gewachsen werden.
This way, high-quality InGaN layers with InN contents of between 40% and 85% could be successfully grown.
Des Weiteren wurden hoch p-dotierte (Mg) InGaN Schichten untersucht.
Furthermore, high p-doped (Mg) InGaN layers were investigated.
Über die ternären Verbindungen (zB InGaN, AlGaN) lassen sich photonische Bauelemente auf genau definierte Lichtwellenlängen tunen, man kann sich quasi exakt gewünschte Materialien „designen".
By creating ternary compounds (eg, InGaN, AlGaN) one can tune photonic devices to precisely defined wavelengths, so you can exactly "design" desired materials.
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Synoniemen voor InGaN in het Duits
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