Vertaling van "InGaN" in Duits
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Beside the localization effects internal electric fields influence the optical properties of InGaN.
Neben den Lokalisierungseffekten bestimmen interne elektrische Felder die optischen Eigenschaften von InGaN.
The indium composition of the InGaN layer can be varied in order to control the emission wavelength.
Die Indium-Zusammensetzung in der InGaN-Schicht kann variiert werden, um die Emissionswellenlänge zu steuern.
(InGaN) alloys perfect for creating solar cell material.
(Ingan) Legierungen sind perfekt für die Herstellung von Solarzellenmaterial.
The quantum wells of the first type contain InGaN, wherein the indium content is chosen such that the quantum well emits when excited in the range of ultraviolet or violet light radiation.
Die Quantentöpfe der ersten Sorte enthalten InGaN, wobei der Indiumgehalt so gewählt ist, dass der Quantentopf bei Anregung im Bereich von UV-beziehungsweise violettem Licht Strahlung emittiert.
He managed to solve this problem by using a heterostructure based on indium gallium nitride InGaN.
Ihm gelang es, dieses Problem mit Hilfe einer auf Indiumgalliumnidrit (InGaN) basierenden Heterostruktur zu lösen.
Comparative study of polar and semipolar (1122) InGaN layers grown by metalorganic vapour phase epitaxy
"Metallorganische und Hybridgasphasenepitaxie von semipolaren (1122)-orientierten GaN-Schichten auf vorstrukturierten Saphir-Substraten"
Also for InGaN layers in blue/ultraviolet emitting laser diodes (LD) the number of crystal defects, particularly the dislocation density, plays an important role for the light efficiency.
Auch für InGaN-Schichten in blau/ultraviolett emittierenden Laserdioden (LD) spielt die Anzahl der Kristalldefekte, insbesondere die Versetzungsdichte, eine entscheidende Rolle für die Lichtausbeute.
The components of blue and green diodes, on the other hand, are manufactured mainly from gallium nitride (GaN) and indium gallium nitride (InGaN).
Die blauen und grünen LED-Dioden bestehen hauptsächlich aus Galliumnitrid und Indiumgalliumnitrid (GaN und InGaN).
However, InGaN layers with medium InN contents showed a high degree of disorder, a factor which impacted negatively on crystal quality.
Jedoch zeigten InGaN Schichten mit mittlerem InN Anteil ein hohes Maß an Unordnung, was sich negativ auf die Kristallqualität auswirkt.
Light source according to Claim 9, characterized in that a blue-emitting light-emitting diode based on InGaN, the peak emission wavelength of which is in the range from 440 to 465 nm, is used as the primary radiation source.
Lichtquelle nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß als primäre Strahlungsquelle eine blau emittierende Leuchtdiode auf Basis von InGaN verwendet wird, deren Peakemissionswellenlänge im Bereich 440 bis 465 nm liegt.
The device has a double heterostructure design with an optically active InGaN layer placed between two layers of GaN.
Das Bauteil hat eine Doppel-Heterostruktur mit einer optisch aktiven InGaN-Schicht, die zwischen zwei GaN-Schichten liegt.
Success in the laboratory: direct emitting green InGaN laser with 50 mW
Laborerfolg: Direkt emittierender grüner InGaN-Laser mit 50mW
The III-V nitride semiconductor laser device according to claim 5, further comprising an intermediate layer of InGaN (13) between said n-side guide layer (5) and said active layer (6).
Laser-Einrichtung aus einem III-V-Nitrid-Halbleiter nach Anspruch 5, die ferner eine Zwischenschicht aus InGaN (13) zwischen der n-seitigen Führungsschicht (5) und der aktiven Schicht (6) umfasst.