Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Trennvorrichtung des weiteren eine Pegelhaltevorrichtung (2a, 2b) aufweist, um die Basis des Bipolartransistors auf einem bestimmten Pegel zu halten, wenn der MOS-Transistor ausgeschaltet ist.
A semiconductor memory device as claimed in claim 2 characterized in that said disconnection means further comprises clamping means (2a, 2b) for holding the base of the bipolar transistor at a predetermined level when the metal-oxide-silicon transistor is turned off.
Controller nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite pMOS-Transistor (88) ausgeschaltet wird, nachdem der erste MOS-Transistor (100) eingeschaltet ist.
The controller as claimed in claim 4 characterized in that said second pMOS transistor (88) is turned off after said first nMOS transistor (100) is turned on.
Verstärkerschaltung wie in Anspruch 7 angegeben, wobei der Transistor ein MOS-Transistor ist.
The amplifying circuit as recited in claim 7, wherein said transistor is a transistor of the type of metal oxide semiconductor transistors.
Die integrierte Schaltung nach Anspruch 1, wobei das erste und/oder das zweite Klemmelement einen MOS-Transistor aufweisen.
The integrated circuit of claim 1, further comprising an ESD clamp connected between the first voltage supply and the second voltage supply.
Das Auswahlelement wird durch ein Schaltbauelement implementiert, wie beispielsweise eine PN-Diode, einen bipolaren Sperrschichttransistor oder einen MOS-Transistor.
The select device 14 may be a diode, a transistor, or an ovonic device, to mention a few examples.
