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Maskenmusters
Geflecteerde vorm van Maskenmuster 

Vertaling van "Maskenmusters" in Engels

mask pattern
Vorrichtung und Verfahren zur Projektion eines Maskenmusters auf ein Substrat.
Apparatus for and method of projecting a mask pattern on a substrate.
Belichtungsverfahren zum Übertragen eines Maskenmusters auf ein Plättchen.
Exposure process for transferring a mask pattern to a wafer.
Reproduktionsverfahren mit hoher Auflösung unter Verwendung eines dem Verfahren angepassten Maskenmusters.
High resolution printing technique by using a mask pattern adapted to the technique.
Der Hologrammspeicher ermöglicht darüber hinaus die Daten für die einzelnen Mikrospiegel-Pixelzellen parallel mit hoher Geschwindigkeit auszulesen und somit eine schnelle Ausbildung des entsprechenden Maskenmusters auf dem Mikrospiegel-Array durchzuführen.
The hologram memory also allows the data for the individual micromirror pixel cells read in parallel at high speed, and thus perform a rapid formation of the corresponding mask pattern on the micro-mirror array.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Bild des Maskenmusters längs der optischen Achse konstant beibehalten wird.
A method according to claim 1, wherein said image of said mask pattern is maintained constant along the optical axis.
Verfahren gemäß Anspruch 6, wobei der das erste leitende Element ausbildende Schritt Dampfabscheiden eines Materials unter Verwendung eines Maskenmusters umfasst.
A method according to claim 6, wherein said forming step of said first conductive member comprises vapor-depositing a metal using a mask pattern.
Seriendrucker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Steuerabschnitt ferner einen Masken-Musterspeicher (15) umfaßt zur Speicherung des Maskenmusters.
A serial printer according to claim 2, characterized in that said control section further includes a mask pattern memory (15) for storing the mask pattern.
Graben-Ätzverfahren nach Anspruch 1, bei welchem bei der Bestimmung der Vollendung des Graben-Ätzens auch Ätzverhältnisse des Maskenmusters und des Siliziumsubstrats verwendet werden.
A trench etching process according to claim 1, wherein the determination of the completion of the trench etching also uses etching ratios of the mask pattern and the silicon substrate.
Verfahren zum Herstellen einer integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung, das den Schritt der Belichtung eines Maskenmusters auf einen Halbleiter-Wafer durch das in Patentanspruch 8 beanspruchte Verfahren umfaßt.
A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device including the step of exposing a mask pattern upon a semiconductor wafer by the method claimed in claim 8.
Lithographisches Belichtungsgerät mit einer Belichtungsstation zum Projizieren eines Maskenmusters auf ein erstes Substrat und einer Meßstation zum Messen der Position eines zweiten Substrats, dadurch gekennzeichnet, daß die Meßstation eine außerachsige Ausrichtungseinheit nach jedem der Ansprüche 1 bis 12 enthält.
A lithographic projection apparatus comprising a projection station for projection a mask pattern onto a first substrate and a measuring station for measuring the position of a second substrate, characterized in that the measuring station comprises an off-axis alignment unit as claimed in any of claims 1-12.
Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 13, bei dem die Ermittlung des zweiten Zustands bei der Vielzahl von Stufen durch Bereitstellen verschiedener Arten von Maskenmustern unterschiedlicher Auflösungen und Auswählen eines Maskenmusters entsprechend einem Zustand der Batteriespannung durchgeführt wird.
Method as claimed in any one of claims 4 to 13, wherein determining of said second status at the plurality of stages is performed by providing different kinds of mask patterns of different resolutions and selecting a mask pattern in accordance with a status of the battery power.
Gerät (100) zum wiederholten Abbilden eines Maskenmusters auf einem Substrat, aufweisend eine Beleuchtungseinheit (2) nach einem der vorhergehenden Ansprüche.
An apparatus (100) for repetitively imaging a mask pattern on a substrate, comprising an illumination unit (2) as claimed in any one of the preceding claims.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem eine Abbildungsfläche des Maskenmusters gleichzeitig mit dem Beleuchtungsschritt und dem Verfahrschritt verändert wird.
A method according to claim 1, wherein an imaging surface of said mask pattern is changed simultaneously with said illumination step and moving step.
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Synoniemen voor Maskenmusters in het Duits

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