Speicherschaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich in jeder der Gateeinrichtungen ein NAND-Gate befindet.
The memory circuit arrangement of claim 1, further characterised in that each of said gate means is a NAND gate.
Luftbehandlungsvorrichtung nach Anspruch 4, bei der die genannte Gleichstrombatterie (31) an einen Rechteckwellen-Generatorkreis angeschlossen ist, der ein NAND-Gate (36) umfaßt und mit einer gewünschten Frequenz pulsiert.
An air treating device as claimed in claim 4 wherein said DC battery (31) is connected to a square wave generator circuit comprising a NAND gate (36) and pulsating at a desired frequency.
Schnittstellenschaltung nach Anspruch 1, in der eines der ersten und zweiten logischen Gates ein NOR-Gate (34) und das andere logische Gate ein NAND-Gate (44) ist.
The interface circuit of claim 1 wherein one of the first and second logic gates is a NOR gate (34) and the other logic gate is a NAND gate (44).
Einige häufige physische Korruptionsprobleme sind defekte Stiele und Anschlüsse, tote Laufwerke (keine Stromversorgung), unterbrochener Stromkreis oder NAND-Gate, nicht erkannt, RAW, Notwendigkeit der Formatierung, nicht zugänglich, und tote Laufwerke, etc.
Some common physical corruption issues are broken stems and connectors, dead drives (no power supply), broken circuit or NAND gate, not recognised, RAW, need to format, not accessible, and Dead Drives, etc.
MOSFET nach Anspruch 4, wobei der genannte Schalter (T) ein NAND-Gate umfasst.
The MOSFET of Claim 4 wherein said switch (T) comprises a NAND gate.
Die Schaltmatrix nach Anspruch 3, worin jedes der logischen Gatter der ersten Stufe ein NAND-Gatter ist und jedes der ersten und zweiten logischen Gatter ein NAND-Gate ist.
The switch matrix as recited in claim 3 wherein: each first stage logic gate being a NAND gate; and each of said first and second logic gates being a NAND gate.