Speichervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Programmiereingang (70) ferner einer Probespannung empfängt, die geringer als das Programmiersignal ist, wobei die Probespannung eine Programmierprüfung zur Probe vor einer permanenten Programmierung der Speicherzelle erlaubt.
A memory device as claimed in any preceding claim wherein the programming input (70) further receives a pre-test voltage less than the programming signal, the pre-test voltage allowing a pre-test programming check prior to permanent programming of the memory cell.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Programmiersignal unter Verwendung eines skalierbaren Audiocodierungsschemas kodiert wird, das eine Kernschicht und eine oder mehrere Verbesserungsschichten aufweist.
The method of claim 1, wherein said programming signal is encoded using a scalable audio coding scheme that includes a core layer and one or more enhancement layers.
System nach Anspruch 35, wobei das Programmiersignal von einem Sender unter Verwendung eines skalierbaren Audiocodierschemas kodiert wird, das eine Kernschicht und eine oder mehrere Verbesserungsschichten aufweist, und wobei das Abstimmsignal von der Kernschicht reproduziert wird.
The system of claim 35, wherein said programming signal is encoded by a transmitter using a scalable audio coding scheme that includes a core layer and one or more enhancement layers and wherein said tuning signal is reproduced from said core layer.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 18 oder 19, mit einem nicht flüchtigen Speicher, dadurch gekennzeichnet, dass das Taktsignal das Programmiersignal (PROG) dieses Speichers ist und dass die temporäre Speichereinrichtung ein Dateneingangsregister umfasst.
An integrated circuit according to claim 18 or 19 comprising a non-volatile memory, characterized in that the internal dwell time signal is the programming signal (PROG) of this memory and in that the temporary storage means comprise a data input register.
Einrichtung nach Anspruch 3, in der der programmierte Bitwert zu dem nicht-flüchtigen Speicherelement über einen zweiten Transistorschalter (22) gekoppelt wird, wobei der zweite Schalter durch ein normales Programmiersignal (PROGRAM) gesteuert wird.
The device of claim 3, wherein the programmed bit value is coupled to said non-volatile memory element through a second transistor switch (22), said second switch being controlled by a normal programming signal (PROGRAM).
Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der selektive Programmbefehl ein zeit- und spannungsgesteuertes Programmiersignal (PROGRAM) aufweist.
A circuit according to claim 1, characterized in that said selective program command includes a time and voltage controlled programming signal (PROGRAM).
System nach Anspruch 9, bei welchem das Programmiersignal Daten für die Bestimmung der Abklingfunktion aufweist.
Programmierbare Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Programmiersignal eine Imputsfolge (500) umfasst, die eine ausreichend hohe Spannung an den Transistor (244) anlegt, um zu bewirken, dass die Metallisierungsschichten des Transistors in das Substrat des Transistors eindringen.
The programmable circuit of claim 1, characterized in that the programming signal comprises a pulse train (500) applying a sufficiently large voltage to the transistor (244) to cause the metallization layers of said transistor to spike into the substrate of said transistor.
Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass ein gemeinsamer die ausgewählten Regelkreise (10a, 10b, 10c) vereinigender Regelkreis durch ein an die Regeleinheit (3) gesendetes Programmiersignal gebildet wird.
Method according to the claim 22., characterised in that creating a common control circuit unifying designated control circuits (10a, 10b, 10c) by means of said programming signal sent to the control unit (3).
Das programmierbare Logikarray nach Anspruch 13, bei dem die Programmierschaltung weiterhin einen Programmiersignalgenerator (130) aufweist, der dazu konfiguriert ist, ein Programmiersignal zu erzeugen, das ein zweites Potential hat.
The programmable logic array apparatus of claim 13, wherein the programming circuitry further comprises a programming signal generator (130) configured to generate a programming signal having a second potential.
Schaltkreis nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die zweiten Mittel (10, 11) ein Speicher-Flip-Flop (11) umfassen, das an einen Ausgang ein Programmiersignal (PDSP) des Schutzbits ausgibt.
Circuit according to one of Claims 1 to 3, characterised in that the second means (10, 11) include a storage flip-flop (11) which supplies, at an output, a signal (PSDP) for programming of the protection bit.
Vorrichtung nach Anspruch 1, in der das Programmiersignal ein Versorgungssignal (Vpp), ein Schreibbefehlssignal (WE) sowie ein Löschbefehlssignal (EE) enthält.
A device according to Claim 1, in which the programming signal comprises a supply signal (Vpp), a writing command signal (WE), and an erasing command signal (EE).
