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Nicht-flüchtige Speichervorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen Spannungsabschwächer 12k zum Anlegen einer Programmspannung niedriger als der, die angelegt ist an die Überwachungszellen, an die Speicherzellen.
The non-volatile memory device of claim 1, which further comprises a voltage attenuator (12k) for applying a program voltage lower than that applied to the monitor cells, to the memory cells.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, ferner umfassend selektives Koppeln der Programmspannung oder der Programm-Unterdrückungsspannung mit einer Senke einer ersten Floating-Gate-Speicherzelle (202) jedes Strings der ausgewählten Anzahl von Strings.
The method of any one of claims 1- 6 further comprising selectively coupling the program voltage or the program-inhibit voltage to a drain of a first floating gate memory cell (202) of each string of the selected number of strings.
Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1, die weiterhin eine Einrichtung (50) zum Erzeugen des Zwischenspeicherungs-Verhinderungssignals (C1) auf dem aktiven Pegel in Antwort auf ein eine Erfassung einer Programmspannung anzeigendes Erfassungssignal enthält.
The non-volatile semiconductor memory device claimed in claim 1, further including means (50) for producing said latch inhibition signal (Cl) at the active level in response to a detection signal indication detection of a programming voltage.
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