Vertaling van "RAM-Zellen" in Engels
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Einrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß für jede Datenverarbeitungseinrichtung der durch ihre jeweilige exklusive Kennung modifizierte Freigabeschlüssel in dafür vorgesehenen RAM-Zellen hinterlegt ist.
Device according to one of Claims 5 to 13, characterized in that, for each data processing device, the enabling key which is modified by its respective exclusive code is stored in RAM cells which are provided for that purpose.
Vorrichtung nach Anspruch 3, bei der die Speichermittel (70) aus einer Gruppe ausgewählt werden. zu der Sicherungen. Anti-Sicherungen, RAM-Zellen, währbare Metallverbindungen, EPROMs. EEPROMs und Ferroelektrische Elemente gehören.
The apparatus defined in claim 3 wherein said memory means (70) are selected from the group consisting of fuses, antifuses, RAM cells, metal optional links, EPROMs, EEPROMs, and ferro-electric elements.
Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Speicher (52) durch RAM-Zellen aus dem normalen RAM im Adressbereich des Prozessors (CPU) realisiert ist.
Circuit according to one of Claims 1 to 5, characterized in that the memory (52) is implemented by RAM cells from the normal RAM in the address area of the processor (CPU).
RPLA nach Anspruch 6, bei der die statischen RAM-Zellen (SE11, SE'11, ...) zwei über Kreuz gekoppelte FETs von verschiedenen Leitfähigkeitstypen (Paare aus T10, T11; T12, T13) umfassen.
The RPLA of claim 6 wherein said static RAM cells (SE11, SE'11, ...) are comprised of two cross coupled FETs of different types of conductivity (pairs of T10, T11; T12, T13).
RPLA nach Anspruch 6, bei der die statischen RAM-Zellen (SE11, SE'11) vier FETs umfassen.
The RPLA of claim 6 wherein said static RAM cells (SE11, SE'11) are comprised of four FETs.
Nichtflüchtige Halbleiter-Massenspeichereinheit nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der flüchtige Speicher RAM-Zellen umfasst.
The non-volatile semiconductor mass storage device according to claim 5 wherein the volatile memory comprise RAM cells.
Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 16, bei der die genannten RAM-Zellen von einer Offen-Bitleitungsform sind.
A semiconductor memory device according to claim 16, wherein said dynamic RAM cells are of an open-bit line form.
Speicher nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Matrix (201) eine Matrix mit dynamischen RAM-Zellen enthält.
Das hat fast keine Auswirkungen auf das Laufzeitverhalten des Mikrocontrollers im Steuergerät, weil Trace-Daten unabhängig vom Steuergeräteprogramm durch ein automatisches Kopieren der Werte der relevanten Messsignale, welche die µC-Cores in RAM-Zellen schreiben, generiert werden.
This has almost no effects on the runtime behavior of the microcontroller in the ECU, because Trace data is generated independently of the ECU program through automatic copying of the values of the relevant measurement signals, which the µC cores write to RAM cells.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, wobei die Mehrzahl von Blöcken flüchtiger Speicherzellen (26, 28, 30, 32, 34) dadurch gekennzeichnet ist, dass es sich um statische Direktzugriffsspeicherzellen (RAM-Zellen) handelt.
The integrated circuit of claim 1, wherein the plurality of blocks of volatile memory cells (26, 28, 30, 32, 34) is characterized as being static random access memory cells.
Statische RAM-Zellen mit vier Transistoren.
Im herkömmlichen Sunny Beam kommen sogenannte RAM-Zellen zum Einsatz.
