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Verfahren zur Herstellung eines Resistmusters auf ein Substrat und Resistmaterial.
Method of applying a resist pattern on a substrate, and resist material mixture.
Resistmaterial und Verfahren zur Herstellung eines feinen Resistmusters.
Resist material and process for forming fine resist pattern.
Positiv arbeitende Resistzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung eines Resistmusters unter Verwendung dieser Zusammensetzung
Positive resist composition and method of forming resist pattern using the same
Verfahren zur Herstellung eines kleinen Resistmusters sowie Verfahren zur Herstellung einer Gateelektrode
Method for forming a minute resist pattern and method for forming a gate electrode
Resistzusammensetzung, Verfahren zur Herstellung eines Resistmusters, Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Erzeugung
Resist composition, method of forming resist pattern, semiconductor device and method od manufacturing thereof
Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Schritt des Ausbildens des Resistmusters und der Schritt des Trockenätzens in verschiedenen Behandlungsräumen ausgeführt werden.
A process according to any preceding claim, wherein the step of forming the resist pattern and the step of dry etching are carried out in different treatment spaces.
Verfahren zur Herstellung eines Resistmusters auf einem Vorläufer nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei das Verfahren das Bereitstellen einer wärmeempfindlichen Zusammensetzung und eines Entwicklerbeständigkeitsmittels nach einem der vorstehenden Ansprüche auf einem Träger, und bildweises Anwenden von Wärme auf die wärmeempfindliche Zusammensetzung umfasst.
A method of preparing a resist pattern on a precursor according to any preceding claim, the method comprising providing over a support a heat sensitive composition and a developer resistance means according to any preceding claim, and causing imagewise application of heat to said heat sensitive composition.
Prüfverfahren nach Anspruch 11 oder 12, mit dem folgenden Schritt: - Messen einer Linienbreite des Resistmusters aus dem Intensitätsprofil.
The inspection method according to claim 11 or 12, comprising the step of: measuring a line width of said resist pattern from said intensity profile.
Verwendung des Resistfilms, welcher gemäß dem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6 zum Ausbilden eines Resistmusters ausgebildet wird.
Use of the resist film which is formed according to the method of one of claims 1 to 6 for forming a resist pattern.
Musterbildungsverfahren, welches das gemusterte Einstrahlen eines Energiestrahls auf das Resistmaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 5 und das Entwickeln des eingestrahlten Resistmusters umfaßt.
A pattern-forming method, which comprises irradiating the resist material of any of claims 1 to 5 patternwise with an energy beam, and developing the irradiated resist pattern.
Verfahren zur Herstellung eines Resistmusters nach Anspruch 20, wobei die alkalische Lösung für die alkalische Entwicklung eine wäßrige Lösung von Tetraalkylammonium oder eine wäßrige Lösung eines anorganischen Alkali umfaßt.
The method of forming a resist pattern of claim 20 wherein said alkaline solution for the alkaline development comprises an aqueous solution of tetraalkylammonium or an aqueous solution of an inorganic alkali.
Prüfvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, bei der - diese Prüfvorrichtung so konfiguriert und ausgebildet ist, dass sie eine Linienbreite des Resistmusters aus dem Intensitätsprofil misst.
The inspection apparatus according to claim 1 or 2, wherein said inspection apparatus is configured and adapted for measuring a line width of said resist pattern from said intensity profile.
Verfahren zur Bildung eines Resistmusters nach Anspruch 20, wobei die lichtempfindliche Verbindung, die in dem lichtempfindlichen Verbund eingeschlossen ist, vom positiven Typ ist, so daß der belichtete Teil bei der alkalischen Entwicklung gelöst wird.
The method of forming a resist pattern of claim 20 wherein the photosensitive compound included in the photosensitive composite is of positive type so that the exposed portion is dissolved in said alkaline development.
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