Method of improving the manufacturing of SOI devices by forming position alignment marks.
Verfahren zum Verbessern der Herstellung von SOI-Anordnungen mittels Aurichtungsmarken der Position.
Said concept is particularly suitable for components produced from SOI wafers.
Dieses Konzept eignet sich besonders für Bauelemente, die aus SOI-Wafern hergestellt werden.
Method to reduce stress from trench structure on SOI wafer.
Verfahren zur Reduzierung des Stress einer Grabenstruktur für ein SOI-Typ Substrat.
Method of fabricating SOI substrate with uniform thin silicon film.
Verfahren zur Herstellung eines Substrates vom SOI-Typ mit einer uniformen dünnen Silizium-Schicht.
The image shows the SOI portal without an open component.
Die Abbildung zeigt das SOI Portal ohne eine geöffnete Komponente.
Furthermore, a conceptual article deals with crowdsourcing approaches for SOI.
Des Weiteren beschäftigt sich ein konzeptioneller Artikel mit Crowdsourcing-Ansätzen für SOI.
Method of manufacturing a semiconductor device having an SOI structure.
Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit einer SOI-Struktur.
Semiconductor substrate having a SOI structure and method of producing the same.
Halbleitersubstrat mit SOI-Struktur und Verfahren desser Herstellung.
Silicon templates are processed on the basis of silicon or SOI wafers with different diameter.
Silizium-Templates werden auf Basis von Silizium- oder SOI-Wafern mit unterschiedlichem Durchmesser hergestellt.
Photonic chip with spiral wave ducts on a SOI substrate with membrane etching.
Photonikchip mit Spiral-Wellenleiter auf SOI-Substrat mit Membranätzung.
Nitride polish stop for forming SOI wafers.
Als Polierstoppschicht für die Herstellung vom Substraten von SOI-Typ verwendetes Nitrit.
A method for thinning SOI films having improved thickness uniformity.
Verfahren zum Dünnemachen von SOI Schichten von gleichmässigerer Dicke.
SOI layout for low resistance gate.
SOI-Layout für ein Gate mit niedrigem Widerstand.