Vertaling van "Source/Drain" in Engels
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Tunneleffekttransistor mit einer Halbleiterschicht zwischen Gate und Source/Drain.
Tunnel transistor comprising a semiconductor film between gate and source/drain.
Methode für ein selektives epitaktisches Wachstum von Source/Drain Gebieten
Source/Drain Elektrode für Flachbildschirm und zugehöriges Herstellungsverfahren.
Source/drain electrode for flat panel display device and method of fabricating the same
Die Bauelementbereiche (3B: Source/Drain, 3C: Kanal) werden im ersten Schritt durch selektives, laterales Unterätzen einer zuerst gebildeten Isolatorschicht und einer vergrabenen selektiv ätzbaren Schicht in einer Schichtstruktur hergestellt.
In a first step, component regions (3B: source/drain, 3C: channel) are produced by effecting a selective lateral underetching of a firstly formed insulator layer and of a buried selectively etchable layer in a layer structure.
Herstellung von isolierendem Gallium-Arsenid-Gate-Fet mit selbstjustierten Source/Drain und Submikron-Kanalzone.
Fabrication of insulated gallium arsenide-gate FET with self-aligned source/drain and submicron channel length.
Bauelement nach Anspruch 3, bei dem die CMOS Struktur zumindest einen p-Kanal Transistor mit Source/Drain Gebieten aufweist, die von der Dotierungstiefe und Dotierungsstärke her gleich dem p-dotierten Gebiet (PG) ausgebildet sind.
Component according to Claim 3, in which the CMOS structure has at least one p-channel transistor with source/drain regions which, in terms of the doping depth and doping strength, are the same as the p-doped region (PG).
Source/Drain eines MISFET in einer Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung.
Source/drain of MISFET in semiconductor device and method of manufacturing the same.
Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorspannungswiderstände (R1, R3, R4) ebenfalls realisiert werden durch Diffusion vom Typ Source/Drain.
Device according to Claim 5, characterised in that the biasing resistors (R1, R3, R4) are also produced in a diffusion of the source/drain type.
BILDUNG VON SOURCE/DRAIN MIT CLOTIERTEM GLAS
FORMATION OF SOURCE/DRAIN FROM DOPED GLASS
DOTIERUNGS-AUSLEHNUNG VON ARSENIC SOURCE/DRAIN PROFIEL
DOPANT PROFILE SPREADING FOR ARSENIC SOURCE/DRAIN
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON SOURCE/DRAIN GEBIETE MIT EINEM TIEFEN ÜBERGANG
METHOD OF MANUFACTURING SOURCE/DRAIN REGIONS HAVING A DEEP JUNCTION
Die Gate-Elektrode (10) befindet sich in der gleichen Ebene wie die Source/Drain - Strukturen (3), die als spätere Kontaktanschlüsse dienen und erstreckt sich direkt zwischen den mit der Isola- tionsschicht (7) versehenen Flanken der Source/Drain - Strukturen (3).
The gate electrode (10) is situated in the same level as the source/drain structures (3) which serve as later contact terminals, and extends directly between the edges of the source/drain structures (3) provided with the insulating layer (7).
Verfahren gemäß Anspruch 8, wobei zwei Ionenimplantate durchgeführt werden, um die p⁺-Source/Drain und die extrinsische Basis des pnp/pFET und die n⁺-Source/Drain und die extrinsische Basis des nFET/npn zu bilden.
A process according to Claim 8 wherein two ion implants are made to form the P+ source/drain and extrinsic base of the PNP/PFET and the n+ source/drain and extrinsic base of the nFET/NPN.
