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source/drain
Vertaling van "source/drain" in Duits
Source/Drain
Source/Drain-Gebiet
Source/Drain-Gebiete
Source/Drain-Bereiche
Source/Drain-Anschluß
Source/Drain-Gebieten
Source/Drain-Bereich
Source/Drain-Bereichen
Source/Drain-Elektrode
Source/Drain-Gebiets
Tunnel transistor comprising a semiconductor film between gate and source/drain.
Tunneleffekttransistor mit einer Halbleiterschicht zwischen Gate und Source/Drain.
Method for selective epitaxial growth of source/drain areas
Methode für ein selektives epitaktisches Wachstum von Source/Drain Gebieten
A reading voltage is applied in a second source/drain area of the memory transistor (S) to read first information and second information respectively.
Jeweils zum Auslesen der ersten Information und zum Auslesen der zweiten Information wird an ein zweites Source/Drain-Gebiet des Speichertransistors (S) eine Auslesespannung angelegt.
A vertical conductive structure (S), e.g. a spacer, connects a first source/drain zone (S/D1) of the transistor to the conductive layer (L), both of which form a first capacitor electrode having a large effective surface with higher packing density.
Eine vertikale leitende Struktur (S), z.B. ein Spacer, verbindet ein erstes Source/Drain-Gebiet (S/D1) des Transistors mit der leitenden Schicht (L), mit der sie eine erste Kondensatorelektrode, die bei hoher Packungsdichte eine große effektive Fläche aufweist, bildet.
The source/drain regions are produced on the bases of the second cavities (V2) by means of implantation.
An Böden der zweiten Vertiefungen (V2) werden durch Implantation die Source/Drain-Gebiete erzeugt.
A connecting line of two source/drain (S/D) areas of a planar transistor runs parallel to the trenches (G).
Eine Verbindungslinie zweier Source/Drain-Gebiete (S/D) eines planaren Transistors verläuft parallel zu den Gräben (G).
Source/drain electrode for flat panel display device and method of fabricating the same
Source/Drain Elektrode für Flachbildschirm und zugehöriges Herstellungsverfahren.
A common source/drain area (SD1) which is connected to a bit line (B) is shared between two adjacent transistors.
Zwei zueinander benachbarte Transistoren teilen sich ein gemeinsames Source/Drain-Gebiet (S/D1), das mit einer Bitleitung (B) verbunden ist.
Fabrication of insulated gallium arsenide-gate FET with self-aligned source/drain and submicron channel length.
Herstellung von isolierendem Gallium-Arsenid-Gate-Fet mit selbstjustierten Source/Drain und Submikron-Kanalzone.
The transistors are vertical transistors whose source/drain regions (S/Do) are located below the word lines (W) and between adjacent trenches.
Die Transistoren sind vertikale Transistoren, deren Source/Drain-Gebiete (S/Do) unter den Wortleitungen (W) und zwischen benachbarten Gräben angeordnet sind.
Two source/drain (S/D) areas of the transistor are also adjacent to the sides of the indentation (V).
Zwei Source/Drain-Gebiete (S/D) des Transistors grenzen ebenfalls an die Flanken der Vertiefung (V) an.
Process according to Claim 1, in which second insulating spacers (13) are formed on the flanks of the gate electrode (12) before the source/drain regions (15, 16) are formed.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem an den Flanken der Gateelektrode (12) vor der Bildung der Source/Drain-Gebiete (15, 16) zweite isolierende Spacer (13) gebildet werden.
Bit lines (B) contact the upper source/drain region (SDo) by means of contacts (K).
Bitleiungen (B) kontaktieren mittels kontakte (K) die oberen Source/Drain-Gebiet (SDo).
Synoniemen voor source/drain in het Engels
Suggesties
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