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Sourcebereich
Vertaling van "Sourcebereich" in Engels
Photoelektrischer Wandler nach Anspruch 10,- bei dem der Sourcebereich des Transistors mit isoliertem Gate durch den Basisbereich (6) bereitgestellt wird.
A photoelectric converter according to claim 10 in which the source region of the insulated-gate type transistor is provided by the base region (6).
Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , dass der Sourcebereich und der Kanalbereich beide in dem Oberflächenbereich mit einer geringeren Dotierung vorgesehen sind.
A semiconductor device as claimed in claim 1, characterized in that the source region and the channel region are both situated in the surface area having a lower doping.
Bauteil nach Anspruch 31, wobei die niedrigohmige Kontaktschicht (71) eine Oberflächendiffusion vom gleichen Dottyp hat wie der Sourcebereich oder wie eine Schicht aus einem hochfesten Metall und aus einem Metallsilicid.
A device according to claim 31 in which the low-resistivity contact layer (71) is a shallow diffusion of the same dopant type as the source region or a layer of one of a refractory metal and a metal silicide. alignment machines.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Source-Leiterschicht (28) so ausgebildet wird, daß sie den Sourcebereich (24) längs der unteren Seitenwände (65) des Grabens elektrisch kontaktiert.
A method according to any preceding claim, in which the source conductive layer (28) is formed so as to electrically contact the source region (24) along the lower sidewalls (65) of the trench.
Halbleitervorrichtung nahe Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der leicht dotierte Bereich (16a; 26a) des Sourcebereich (16) eine kleiner Tiefe hat, als der stark dotierte Bereich (16b; 26b).
The semiconductor device according to claim 1, characterized in that said lightly doped region (16a; 26a) of said source region (16) is smaller in depth than said heavily doped region (16b; 26b).
Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Sourcebereich (4) durch einen Bereich geschaffen wird, der in Spaltenrichtung dem Drain-Bereich (3) durch das Steuergate (1) gegenüberliegt.
A semiconductor memory device according to claim 7, characterized in that said source region (4) is provided by a region facing said drain region (3) through said control gate (1) in said column direction.
Speicherzelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Überwachungsschaltungsanordnung (58) in differentieller Weise den Unterschied zwischen dem Wannenbereich (32) und dem Sourcebereich (34) des zweiten Transistors (30) erfassen kann.
The memory cell according to any preceding claim, wherein the monitoring circuitry (58) is adapted to differentially detect the difference between said tank region (32) and the source region (34) of the second transistor (30).
Transistor nach Anspruch 10, wobei die n-leitende Stromanreicherungsschicht (83) zwischen dem p-leitenden Bereich (82) und dem Sourcebereich (54) des Transistors angeordnet ist.
A transistor according to claim 10, wherein the n-type current enhancing layer (83) is positioned between said p-type region (82) and the source region (54) of said transistor.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, wobei der Sourcebereich (11) und der Drainbereich (12a, 12b) selbstausrichtend bzw. selbstjustierend im Bezug auf die Gateelektrode (14a, 14b; 24a, 24b) sind.
A semiconductor device according to claim 2, wherein said source region (11) and said drain region (12a, 12b) are self-aligned with respect to said gate electrode (14a, 14b; 24a, 24b).
Eine Halbleiterstruktur umfasst ein Substrat (102) und einen Sourcebereich (104), der in dem Substrat (102) gebildet ist.
The invention relates to a semiconductor structure comprising a substrate (102) and a source region (104) that is formed inside the substrate (102).
Zwischen dem Sourcebereich (104) und dem zweiten Drainabschnitt (118) ist ein Kanalbereich (116) festgelegt.
A channel region (116) is defined between the source region (104) and the second drain section (118).
Halbleitervorrichtung mit hoher Durchbruchspannung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Nut (10a) auf der Drainbereichseite angeordnet ist, und dass der Sourcebereich nicht auf der Drainbereichseite der ersten Nut (10a) vorhanden ist.
The high breakdown voltage semiconductor device according to claim 1, characterised in that said first groove (10a) is situated on the drain region side, and said source region is not present on the drain region side of said first groove (10a).
Verfahren zum Herstellen eines ionensensitiven Feldeffekttransistors mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines Substrats (12) mit einem Sourcebereich (14) und einem Drainbereich (16); und Erzeugen eines Gates (36) aus Kohlenstoffnitrid auf dem Substrat.
A method for producing an ion sensitive field effect transistor, comprising: providing a substrate (12) having a source region (14) and a drain region (16); and forming a gate (36) of carbon nitride on the substrate.
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Synoniemen voor Sourcebereich in het Duits
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