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Sourcebereichs
Geflecteerde vorm van Sourcebereich
Vertaling van "Sourcebereichs" in Engels
source region
Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem der Drainversatzbereich zum Schritt des Fertigstellens der Herstellung des Sourcebereichs durch eine Maske (12) abgedeckt wird.
A method as in any preceding claim, wherein said drain-offset region is covered with a mask (12) for the step of completing the formation of the source region.
Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7, das weiterhin den folgenden Schritt aufweist: Bilden einer leitenden Filmschicht (14) auf einem Teil der Oberfläche des Sourcebereichs und auf einem Teil der Oberfläche des Drainbereichs.
The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 7, further comprising the step of: forming a conductive film layer (14) on part of the surface of the source region and on part of the surface of the drain region.
Verfahren nach Anspruch 6, wobei der den lokalisierten Bereich bildende Dotierstoff vor Ausbildung des Sourcebereichs in Schritt (b) in eine größere Tiefe in dem Träger als der Kanal aufnehmende Bereich eindiffundiert wird.
A method as claimed in Claim 6, wherein the dopant forming the localised region is diffused to a greater depth in the body than the channel-accommodating region, before forming the source region in step (b).
Andere resultaten
Leistungstransistor-Bauelement gemäß Anspruch 5, bei dem die Länge der Sourcebereichs-Streifen ungefähr 20 µm beträgt.
A power transistor device as claimed in claim 5, wherein the length of the source region stripes is approximately 20µm.
Photoelektrischer Wandler nach Anspruch 10,- bei dem der Sourcebereich des Transistors mit isoliertem Gate durch den Basisbereich (6) bereitgestellt wird.
A photoelectric converter according to claim 10 in which the source region of the insulated-gate type transistor is provided by the base region (6).
Verfahren nach Anspruch 4, wobei das Ionenimplantationsverfahren angewandt wird, um Drain- und Sourcebereiche der Dünnschichttransistoren in einer Schicht aus amorphem Silicium auszubilden.
A method as claimed in claim 4, wherein the ion implantation process is used to define drain and source regions of the thin film transistors in an amorphous silicon layer.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, die einen durch den Sourcebereich hindurchgeführten Elektroden-Kontaktdiffusionsbereich des ersten Leitfähigkeitstyps aufweist.
A semiconductor device according to claim 1, further comprising an electrode contact diffusion region of the first conductivity penetrated through said source region.
Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , dass der Sourcebereich und der Kanalbereich beide in dem Oberflächenbereich mit einer geringeren Dotierung vorgesehen sind.
A semiconductor device as claimed in claim 1, characterized in that the source region and the channel region are both situated in the surface area having a lower doping.
Verfahren zum Herstellen eines Dünnschichttransistors nach Anspruch 1, ferner mit einem Schritt zur Fremdstoffaktivierung zum Aktivieren des in den Sourcebereich und den Drainbereich dotierten Fremdstoffs nach dem Dotierungsvorgang.
A method for making a thin film transistor according to claim 1, further comprising an impurity-activation step for activating said impurity doped into said source region and said drain region after said doping.
VERFAHREN ZUM ERZEUGEN DER SOURCEBEREICHE EINES FLASH-EEPROM-SPEICHERZELLENFELDES
PROCESS FOR GENERATING THE SOURCE REGIONS OF A FLASH-EEPROM STORAGE CELL FIELD
Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Störstellendiffusionsbereich tiefer als der Sourcebereich, der Drainbereich und der Substrat-Kontaktbereich ist.
A device as set forth in claim 1, wherein said impurity diffusion region is deeper than said source region, said drain region and said substrate contact region.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, bei der die effektive Kanallänge des Isolierschicht-Feldeffekttransistors von der Differenz der seitlichen Störstellendiffusionsbeträge des zweiten Halbleiterbereiches und des Sourcebereiches bestimmt wird.
A semiconductor device according to claim 1, wherein an effective channel length of the insulated gate field effect transistor is determined by a difference of lateral impurity diffusion amounts of said second semiconductor region and said source region.
Elektronische Anordnung nach Anspruch 2, weiterhin dadurch gekennzeichnet , dass der Störstellen-Sourcebereich eine Schichtstruktur aufweist, welche sich in elektrischem Kontakt mit der Elektrode befindet und welches ein Material einer höheren Leitfähigkeit als das Chromnitrid, zum Beispiel Indiumzinnoxid oder Aluminium, aufweist.
An electronic device as claimed in Claim 2, further characterised in that the impurity source area comprises a film pattern which is in electrical contact with the electrode and which is of higher conductivity material than the chromium nitride, for example indium tin oxide or aluminium.
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Synoniemen voor Sourcebereichs in het Duits
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