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Sputter-Target nach Anspruch 12, das einen elektrischen Widerstand von ungefähr 0,02 Ohm.cm aufweist.
A sputtering target as claimed in claim 12 which has an electrical resistivity of about 0.02 ohm.cm.
Verfahren nach Anspruch 12, bei welchem das Metallwerkstück in einer solchen Weise extrudiert und verarbeitet wird, daß alle Aluminiumkörner in dem hierdurch erzeugten Sputter-Target kleiner als 2 µm sind.
A method according to claim 12 wherein said metal workpiece is extruded and fabricated in a manner such that all aluminium grains measure less than 2 microns in the sputtering target produced thereby.
Sputter-Target nach einem der Ansprüche 1 bis 4, worin der Sauerstoff-Gehalt des Targets auf einen Wert unter 150 ppm beschränkt ist.
The sputtering target according to any of the claims 1 to 4 wherein the oxygen content of the target is restricted to less than 150 ppm.
Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 2 bis 4, bei dem das Sputter-Target ein Magnetron-Sputter-Target aufweist und bei dem das Siliziumoxid durch In-line-Magnetron-Sputtern abgeschieden wird.
The method of any of claims 2 - 4, wherein said sputtering target comprises a magnetron sputtering target and said silica is deposited by in-line magnetron sputtering.
Sputter-Target nach einem der Ansprüche 1 bis 3, worin die Raumerfüllung (bzw. das Dichteverhältnis) des Targets über 99 % liegt.
The sputtering target according to any of the claims 1 to 3 wherein the density ratio of the target is more than 99%.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt des Ablagerns in einem einzigen Durchlauf des Substrats (36) an dem Sputter-Target (78) vorbei bewerkstelligt wird.
The method of claim 1, wherein the step of depositing is accomplished in a single pass of the substrate (36) past the sputtering target (78).
Vorrichtung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass das mindestens eine Sputter-Target (24e) an einer inneren Oberfläche der leitenden Wand (10e) angeordnet ist.
Apparatus according to claim 20, characterised in that said at least one sputtering target (24e) is disposed on an inner surface of said conductive wall (10e).
Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 21, bei welchem das Sputter-Target Ablagerungsbereiche aufweist, und bei welchem alle Ablagerungsbereiche kleiner als 2 µm sind.
The method of any one of claims 16 to 21 wherein the sputtering target comprises precipitate regions and wherein all precipitate regions measure less than one micron.
Sputter-Target nach einem der Ansprüche 1 bis 6, worin eine Zwischenschicht zwischen der Metallsilicid-Phase und der Si-Phase gebildet ist.
The sputtering target according to any of the claims 1 to 6 wherein an interface layer is formed between the metal silicide phase and the Si phase.
Sputter-Target nach einem der Ansprüche 1 bis 7, worin die Dicke der Zwischenschicht, die zwischen der Metallsilicid-Phase und der Si-Phase gebildet ist, auf einen Wert im Bereich von 10 bis 1.000 nm (100 bis 10.000 Å) festgesetzt ist.
The sputtering target according to any of the claims 1 to 7 wherein the thickness of the interface layer formed between the metal silicide phase and the Si phase is set in a range of from 10 to 1,000 nm (100 to 10,000Å).
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