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the source region
said source region
Speicherzelle nach Anspruch 3, bei welcher das Tunnel-Oxid-Fenster zwischen der unterschiedlich aufgewachsenen Oxid-Zone über der Source-Zone und der dicken Isolationszone angrenzend an die Source-Zone gebildet ist.
The memory cell of claim 3, wherein said tunneling oxide window is formed between said differentially grown oxide region overlying said source and said thick insulator region adjacent said source.
Substrat (21) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die zwei Gateelektroden so angeordnet sind, daß sich zwischen ihnen die Source-Zone befindet.
An ink jet recording head substrate (21) according to any one of claims 1 to 5, wherein said two gate electrodes are disposed with the interposition of said source area.
Verfahren nach Anspruch 12, bei dem die Source-Zone des DMOS-Transistors unter Einsatz eines Schritts zur Bildung einer Emitterzone des zweiten Leitfähigkeitstyps des Bipolartransistors gebildet wird.
The method as claimed in claim 12, wherein said source region of said DMOS transistor is formed by employing a step for forming an emitter region of the second conductivity type of said bipolar transistor.
Verfahren nach Anspruch 6 bis 9, bei dem die Source-Zone des DMOS-Transistors unter Einsatz eines Schritts zur Bildung einer Source-Zone und einer Drain-Zone des ersten Leitfähigkeitstyps (N oder P) des CMOS-Transistors gebildet wird.
The method as claimed in claim 6 to 9, wherein said source region of said DMOS transistor is formed by employing a step for forming a source region and a drain region of the first conductivity type (N or P) of said CMOS transistor.
Transistor nach Patentansprüchen 12 und 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Drain-Zone schwächer als die Source-Zone dotiert ist und teilweise vom längeren Schenkel des unteren Steuerelektrodenbereichs (214) überdeckt ist.
Transistor according to claims 12 and 13 characterised in that the drain region, more weakly doped than the source region, is partly covered by the longer branch of the lower gate part (214).
Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8, welches ferner das Folgende umfasst: Bilden einer Source-Zone und einer Drain-Zone in der aktiven Schicht, wobei die Source-Zone und die Drain-Zone einen Kanal flankieren, welcher zumindest teilweise in der verspannten Zone der aktiven Schicht definiert ist.
The method of any of claims 6 to 8 further comprising: forming a source and a drain in the active layer, the source and the drain flanking a channel defined at least partially in the strained region of the active layer.
Lateraler MOSFET nach Anspruch 1, bei dem einige der Source-Zellen eine Source-Zone und eine Körperzone umfassen, wobei die Source-Zone und die Körperzone miteinander kurzgeschlossen werden.
A lateral MOSFET as claimed in claim 1 wherein some of the source cells comprise a source region and a body region, the source region and the body region being shorted together.
Transistor nach Anspruch 1, bei dem die Source-Zone in zwei beabstandete Abschnitte (84-1, 84-2) unterteilt ist.
The transistor of Claim 1, wherein the source region is in two spaced apart portions (84-1, 84-2).
Transistor nach Patentanspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Drain-Zone (234) und die Source-Zone (235) unterschiedlich stark dotiert sind.
Transistor according to claim 11 characterised in that one of the drain (234) and source (235) regions is more strongly doped than the other.
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