Lateraler zweifach diffundierter Fieldeffekttransistor mit einem isolierten Gate und Verfahren zur Herstellung.
Lateral double diffused insulated gate field effect transistor and fabrication process.
Schalter nach Anspruch 7, wobei der Widerstand (46) als ein diffundierter N-Wannen-Widerstand aufgebaut ist.
A switch according to claim 7, wherein the resistor (46) is constructed as a diffused n- well resistor.
Mikroprozessor (36) nach Anspruch 1, wobei ein Leersignal, das Folge diffundierter oder extrahierter Stoffe ist, von einem aktiven Signal, das Folge von extrahiertem Analyt ist, subtrahiert wird, um ein analytspezifisches Signal zu bilden.
The microprocessor (36) of claim 1, wherein a blank signal, which is due to diffused or extracted substances, is subtracted from an active signal, which is due to extracted analyte, to provide an analyte-specific signal.
Verfahren zum Herstellen einer integrierten Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, worin der Bereich integrierter Schaltungselemente des ersten Leitfähigkeitstyps ein diffundierter Widerstandselementbereich (75) ist.
The method of manufacturing a semiconductor integrated circuit of claim 1, wherein the integrated circuit element region of the first conductive type is a diffused resistance element region (75).
Bis dahin allerdings sollten wir uns auf einige Turbulenzen gefasst machen, wenn sich die machtpolitischen Hauruck-Methoden des Durchregierens in den komplexen Geflechten diffundierter Macht, unübersichtlicher Kausalzusammenhänge und unerwarteter Nebenwirkungen verheddern.
We should, however, be prepared for quite some turbulence once the railroading methods of power politics get entangled in the complex mesh of diffused power, incomprehensible causal relationships and unexpected side effects.
Hallsensor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Hallelemente (e1, e2) mittels diffundierter oder implantierter Zonen auf der Halbleiteroberfläche gebildet sind.
A Hall sensor as claimed in claim 2, characterized in that the Hall cells (e1, e2) are formed in or upon the semiconductor surface by means of diffused or implanted regions.
Der neue LDMOS (Lateral Diffundierter Metall-Oxid-Halbleiter) Generator liefert bis zu 1.700 Watt und damit ausreichend Energie für sämtliche Anwendungsgebiete.
Its new laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) generator delivers up to 1700 W of proven power.
Diffundierter Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
DOPPELT DIFFUNDIERTER FELDEFFEKTTRANSISTOR MIT VERRINGERTEM ON-WIDERSTAND
DOUBLE DIFFUSED FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING REDUCED ON-RESISTANCE
FELDEFFEKTTRANSISTOR, INSBESONDERE DOPPELT DIFFUNDIERTER FELDEFFEKTTRANSISTOR, SOWIE HERSTELLUNGSVERFAHREN
FIELD EFFECT TRANSISTOR, ESPECIALLY A DOUBLE DIFFUSED FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
Halbleiteranordnung mit diffundierter Zone mit reduzierter Länge und Verfahren zur Herstellung dieser Zone.
Semiconductor device having a diffused region of reduced length and method of fabricating the same.
Halbleiteranordnung mit lokalisierter diffundierter Zone.
Semiconductor device comprising a localised doped region.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 15, wobei die Leistungsstufe ein vertikaler doppelt diffundierter MOSFET ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt f) auch das simultane Bilden von isolierten Gatebereichen (7) für den vertikalen doppelt diffundierten MOSFET vorsieht.
The manufacturing process according to claim 15, the power stage being a Vertical Double-diffused MOSFET, characterized in that step f) also provides for simultaneously forming insulated gate regions (7) for the Vertical Double-diffused MOSFET.
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