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doppelt diffundierten
Method for forming very narrow doping regions in a semiconductor body and use of this method for producing semiconductor regions insulated from each other, bipolar semiconductor devices, integrated injection logics and double-diffused FET semiconductor devices.
Verfahren zur Herstellung sehr schmaler Dosierungsgebiete in einem Halbleiterkörper sowie Verwendung dieses Verfahrens bei der Erzeugung von voneinander isolierten Halbleiterkörperbereichen, Bipolar-Halbleiteranordnungen, integrieten Injektionslogikschaltungen und doppelt diffundierten FET-Halbleiteranordnungen.
Double-diffused drain CMOS process using a counterdoping technique.
A method of gettering and for defect formation control during the fabrication of double-diffused integrated circuit cells and cell produced therewith.
Verfahren zum Gettern und zur Kontrolle der Ausbildung von Defekten während der Herstellung von doppelt-diffundierten integrierten Schaltkreiszellen und so hergestellte Zelle.
A method according to any of claims 2 to 11 in which the step of implanting dopant to form the source/drain regions is performed in two stages, the second stage at a lower dosage than the first stage so that the source/drain regions are double-diffused.
Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 11, wobei der Schritt Implantieren von Dotiermittel zum Ausbilden der Source-Drain-Region in zwei Stufen durchgeführt wird, wobei die zweite Stufe bei einer niedrigeren Dosierung als die erste Stufe durchgeführt wird, so daß die Source-Drain-Regionen doppelt diffundiert sind.
The circuit of Claim 1 wherein the depletion mode MOSFETs (M1,M2) are double-diffused.
The manufacturing process according to claim 15, the power stage being a Vertical Double-diffused MOSFET, characterized in that step f) also provides for simultaneously forming insulated gate regions (7) for the Vertical Double-diffused MOSFET.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 15, wobei die Leistungsstufe ein vertikaler doppelt diffundierter MOSFET ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt f) auch das simultane Bilden von isolierten Gatebereichen (7) für den vertikalen doppelt diffundierten MOSFET vorsieht.
Fig. shows a schematic cross-section of a trench-gate integrated lateral double-diffused metaloxide-semiconductor field effect transistor (LDMOS).
Abb. zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen lateralen doppelt-diffundierten MOSFET (LDMOS) mit integriertem Grabengate.
In addition, X-FAB added new and enhanced N- and P-type double-diffused metal-oxide-semiconductor (DMOS) transistors with 45 percent lower on-resistance for multiple operating voltages up to 100V, lowering the silicon footprint by up to 40 percent and thus reducing die costs.
Hinzugefügt wurden außerdem neue und verbesserte N- und P-leitende DMOS-Transistoren mit 45 Prozent geringerem Einschaltwiderstand für verschiedene Betriebsspannungen bis zu 100V. Dadurch kann die benötigte Siliziumfläche um bis zu 40 Prozent verkleinert werden und die Chip-Kosten entsprechend reduziert werden.
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