Magnetoresistives Element nach Anspruch 8, wobei die Oberflächen-Rauhigkeit des Mehrschichten-Films ungefähr 0,5 nm oder weniger ist.
A magnetoresistance effect device according to claim 8, wherein a surface roughness of the multilayer film is about 0.5 nm or less.
Wäßriger Polymerlatex nach Anspruch 1 mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von 80 nm oder weniger.
An aqueous polymer latex as claimed in claim 1, wherein the average particle size is 80 nm or less.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3, worin die erste Metallschicht eine Dicke von 50 nm oder weniger aufweist.
A semiconductor device according to claim 3, wherein said first metal layer has a thickness of 50 nm or smaller.
Gegenstand der Erfindung ist eine Zusammensetzung, die wenigstens einen Weichmacher und Siliciumdioxidpartikel mit einer mittleren Teilchengröße von 150 nm oder weniger enthält.
The invention relates to a composition, containing at least one plasticizer and silicon dioxide particles with an average particle size of 150 nm or smaller.
Wasserabweisendes Siliciumdioxid-Sol in einem organischen Lösungsmittel, das kolloidale Siliciumdioxid-Partikel mit einer Größe von 100 nm oder weniger, bestimmt durch Lichtstreuung umfaßt, dessen Oberflächen mit einem mit organischen Gruppen substituierten Silan wasserabweisend gemacht wurden.
A water repellent silica sol in an organic solvent comprising colloidal silica particles having a size of 100 nm or below as determined by light scattering whose surfaces have been made water-repellent with an organic group-substituted silane.
Flüssigkristallanzeige nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine Halbleiterschicht jedes Transistors (16) aus amorphem Silizium besteht und eine Dicke von 50 nm oder weniger hat.
A liquid-crystal display device according to any one of claims 1 to 3, wherein a semiconductor layer of each transistor (16) consists of amorphous silicon and has a thickness of 50 nm or below.
Elektrolumineszierende Vorrichtung nach Anspruch 16, worin die Emissionsbanden 20 nm oder weniger sind.
The electroluminescent device of claim 16, wherein the emission bands are 20 nm or less.
Verfahren nach Anspruch 12, wobei die Metalloxidteilchen einen mittleren Teilchendurchmesser von 500 nm oder weniger haben.
The method according to claim 12, wherein the metal oxide particles have a mean particle diameter of 500 nm or less.
Kieselsäure nach Anspruch 1, bei der der häufigste Porendurchmesser (D max) 50 nm oder weniger beträgt.
A silica according to claim 1, wherein said mode pore diameter (D max) is 50 nm or less.
Verfahren nach Anspruch 1, worin das Quarzglas dort, wo der Laserstrahl hindurchtritt, eine Oberflächenrauigkeit von 1 nm oder weniger aufweist.
The method according to claim 1, wherein the quartz glass has a surface roughness of 1 nm or less where the laser beam passes.
Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die mit dem kationischen Harz gemischten Pigmentteilchen eine durchschnittliche. Teilchengröße von 300 nm oder weniger aufweisen.
The method as claimed in claim 1, wherein the pigment particles mixed with the cationic resin have an average particle size of 300 nm or less.
Kultivierungsgerät nach Anspruch 9, wobei die ultraviolette Lampe so ausgebildet ist, dass Licht von 200 nm oder weniger Wellenlänge abgeschnitten wird.
The cultivating apparatus as claimed in claim 9, wherein said ultraviolet lamp is designed so that light of 200 nm or less in wavelength is cut off.
Mit einer Breite von etwa 10 nm oder weniger ähneln das Verhalten der Graphen Ribbons dem eines Halbleiter, da die Elektronen gezwungen sind, sich in Längsrichtung zu bewegen.
At widths of about 10 nm or smaller, the graphene ribbons behavior is similar to a semiconductor as electrons are forced to move lengthwise.
