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nm oder weniger
nm oder kleiner
A semiconductor device according to claim 3, wherein said first metal layer has a thickness of 50 nm or smaller.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3, worin die erste Metallschicht eine Dicke von 50 nm oder weniger aufweist.
The invention relates to a composition, containing at least one plasticizer and silicon dioxide particles with an average particle size of 150 nm or smaller.
Gegenstand der Erfindung ist eine Zusammensetzung, die wenigstens einen Weichmacher und Siliciumdioxidpartikel mit einer mittleren Teilchengröße von 150 nm oder weniger enthält.
A microstructure according to either one of claims 1 to 3, wherein said first diameters are 200 nm or smaller.
Mikrostruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der die ersten Durchmesser 20 nm oder kleiner sind.
However, the quantum mechanical effects of electron confinement in devices 10 nm or smaller result in phenomena qualitatively different than those seen in larger devices.
Doch die quantenmechanische Effekte von Elektronen Einschluss in Geräten 10 nm oder kleiner ergeben Phänomene qualitativ anders als die in größeren Geräten gesehen.
At widths of about 10 nm or smaller, the graphene ribbons behavior is similar to a semiconductor as electrons are forced to move lengthwise.
Mit einer Breite von etwa 10 nm oder weniger ähneln das Verhalten der Graphen Ribbons dem eines Halbleiter, da die Elektronen gezwungen sind, sich in Längsrichtung zu bewegen.
Image forming apparatus according to claim 1, wherein said inorganic fine powder has an average primary particle diameter of 30 nm or smaller, and said toner further contains a second fine powder having an average particle diameter larger than 30 nm.
Bilderzeugungsvorrichtung nach Anspruch 1, bei der das anorganische Feinpulver einen durchschnittlichen primären Partikeldurchmesser von 30 nm oder weniger hat und der Toner des weiteren ein zweites Feinpulver mit einem durchschnittlichen Partikeldurchmesser von mehr als 30 nm enthält.
The image forming method according to claim 1 or 13, wherein said toner particles has a 60% pore radius of 3.5 nm or smaller in the integrating pore area percentage curve of pores of from 1 nm to 100 nm in size.
Bilderzeugungsverfahren nach Anspruch 1 oder 13, bei dem die Tonerpartikel einen 60%-Porenradius von 3,5 nm oder weniger in der integrierenden Porenflächenprozentsatzkurve von Poren einer Größe von 1 nm bis 100 nm besitzen.
A process according to claim 11, wherein gaps between the head portions of adjacent ones of the plurality of minute metal particles (8) are 10 nm or smaller.
Verfahren nach Anspruch 11, bei dem Lücken zwischen den Kopfteilen benachbarter winziger Partikel (8) 10 nm oder kleiner sind.
A process according to claim 8, wherein said plating is continued until gaps between the head portions of adjacent ones of the plurality of minute metal particles (8) become 10 nm or smaller.
Verfahren nach Anspruch 8, bei dem das Metallisieren solange fortgesetzt wird, bis Lücken zwischen den Kopfteilen benachbarter kleiner Metallpartikel (8) 10 nm oder weniger werden.
A silver halide photosensitive material of claim 1 wherein a magnetic recording layer containing a fine ferromagnetic powder having a particle size of 40 nm or smaller and a S-BET of at least 20m 2/g is formed on the back surface of the transparent support.
Lichtempfindliches Silberhalogenid-Material nach Anspruch 1, worin eine magnetische Aufzeichnungsschicht, die ein feines ferromagnetisches Pulver mit einer Teilchengröße von 40 nm oder kleiner und einem S-BET-Wert von wenigstens 20 m 2/g enthält, auf der rückseitigen Oberfläche des transparenten Trägers gebildet ist.
A decorative titanium material according to claim 1, wherein the surface roughness has an Rmax value of 1000 nm or smaller.
Dekoratives Titanmaterial nach Anspruch 1, bei welchem die Oberflächenrauheit einer maximalen Rautiefe Rmax von 1000 nm oder weniger entspricht.
The recording medium of claim 1 or 2, wherein the average crystal grain size of the underlayer including the Co-containing material is 8 nm or smaller.
Speichermedium nach Anspruch 1 oder 2, wobei die durchschnittliche Kristallkörnung der das Co-enthaltende Material aufweisenden Unterschicht höchstens 8 nm beträgt.
A process as claimed in claim 1, characterized in that the nanoscale particles have a mean particle size of 1 to 500 nm, preferably of 200 nm or smaller, more preferably of 100 nm or smaller and most preferably of 50 nm or smaller.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die nanoskaligen Teilchen eine durchschnittliche Teilchengröße zwischen 1 und 500 nm, vorzugsweise von kleiner oder gleich 200 nm, besonders bevorzugt Kleiner/gleich 100 nm und ganz besonders bevorzugt kleiner/gleich 50 nm haben.
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