Chips aus GaN sind schneller, kleiner, energieeffizienter und letztendlich billiger.
Les puces en GaN seront plus rapides, plus petites, plus écoénergétiques et finalement moins chères.
Einkristallines Substrat aus GaN, Verfahren zu ihrer Züchtung und zu ihrer Herstellung
Substrat monocristallin de GaN et procédés pour sa croissance et sa production
Element auf Basis von GaN mit niedriger Versetzungsdichte, seine Verwendung und Herstellungsverfahren
Elément à base de GaN avec une faible densité de dislocations, son utilisation et procédés de fabrication
GaN Film mit reduzierter Verspannungsdichte und Herstellungsverfahren
GaN film avec des densités de dislocations filetées reduites et son procédé de fabrication
Verfahren zur Verminderung von Stress in GaN Bauelementen
Procédé pour alléger les contraintes dans des dispositifes en GaN
Das Bild zeigt ein Stück von GaN mit Schritten und Schraubenversetzungen (Löcher).
L'image affiche une pièce de GaN avec des phases et des dislocations de vis (trous).
Im Vergleich zu herkömmlichen Ladegeräten weisen Galliumnitrid (GaN) -Ladegeräte Merkmale wie eine geringere Größe und einen höheren Wirkungsgrad auf.
Par rapport aux chargeurs traditionnels, les chargeurs au nitrure de gallium (GaN) présentent des caractéristiques telles qu'une taille plus petite et une efficacité supérieure.
Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Pufferschicht aus GaN hergestellt wird.
Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que ladite couche de tampon est constituée de GaN.
Dank GaN (Galliumnitrid), einem Halbleitermaterial, das in bestimmten Anwendungen besondere Vorteile gegenüber seinen Vorgängern aufweist, werden wichtige Fortschritte auf dem Gebiet der Elektronik erzielt.
Des avancées majeures sont à venir dans le domaine de l'électronique grâce au GaN (nitrure de gallium), un matériau semi-conducteur qui présente des avantages spécifiques par rapport à ses prédécesseurs dans certaines applications.
Verbundstoff gemäß Anspruch 19, wobei w 0 ist, β Skandium und die Nitrid-Schicht GaN ist.
Composite selon la revendication 19, dans lequel w est 0, β est le scandium, et la couche de nitrure est GaN.
Bauelement nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Halbleitertyp Silizium ist; und der zweite Halbleitertyp GaN ist.
Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que : le composé semi-conducteur du premier type est le silicium, et le composé semi-conducteur du second type est GaN.
Verfahren zur Herstellung eines Substrats gemäß Anspruch 8, wobei Galliumnitrid (GaN) im ersten Wachstumsschritt und/oder im zweiten Wachstumsschritt wachsengelassen wird.
Procédé de fabrication d'un substrat selon la revendication 8, dans lequel du nitrure de gallium (GaN) est mis à croître dans au moins l'une de la première étape de croissance et de la seconde étape de croissance.
Verfahren zum Ätzen von GaN Material
Procédé de gravure d'un matériau en GaN
