Les semi-conducteurs GaN sont relativement chers et ont une capacité de production limitée.
GaN-Halbleiter sind relativ teuer und haben eine begrenzte Produktionskapazität.
Les composants GaN sont plus efficaces que le silicium, gaspillent moins d'énergie et émettent moins de chaleur.
GaN-Komponente sind effizienter als Silikon, verschwenden keine Energie und produzieren weniger Wärme.
Les chargeurs GaN sont non seulement plus efficaces pour transmettre le courant, mais ont également moins de perte d'énergie.
GaN-Ladegeräte übertragen nicht nur Strom effektiver, sondern haben auch einen geringeren Energieverlust.
Les puces en GaN seront plus rapides, plus petites, plus écoénergétiques et finalement moins chères.
Chips aus GaN sind schneller, kleiner, energieeffizienter und letztendlich billiger.
Substrat monocristallin de GaN et procédés pour sa croissance et sa production
Einkristallines Substrat aus GaN, Verfahren zu ihrer Züchtung und zu ihrer Herstellung
Elément à base de GaN avec une faible densité de dislocations, son utilisation et procédés de fabrication
Element auf Basis von GaN mit niedriger Versetzungsdichte, seine Verwendung und Herstellungsverfahren
C'est également une raison importante pour laquelle nous avons tendance à choisir les chargeurs GaN
Dies ist auch ein wichtiger Grund, warum wir uns für GaN-Ladegeräte entscheiden
Dispositif lumineux semi-conducteur à base de GaN
GaN film avec des densités de dislocations filetées reduites et son procédé de fabrication
GaN Film mit reduzierter Verspannungsdichte und Herstellungsverfahren
L'accroissement heteroepitaxial des couches de GaN sur le substrat de saphir peut être compromis par le dopage involontaire pendant le processus de croissance.
Das heteroepitaxial Wachstum von GaN-Schichten auf Saphirsubstratfläche kann durch die unbeabsichtigte Lackierung während des Wachstumsprozesses kompromittiert werden.
Les régions sombres comportent le substrat de saphir, les couches fortement dopées de repère, et les couches non dopées de GaN.
Die dunklen Regionen enthalten die Saphirsubstratfläche, die in hohem Grade lackierten Markierungsschichten und die undoped GaN-Schichten.
Procédé pour alléger les contraintes dans des dispositifes en GaN
Verfahren zur Verminderung von Stress in GaN Bauelementen
L'image affiche une pièce de GaN avec des phases et des dislocations de vis (trous).
Das Bild zeigt ein Stück von GaN mit Schritten und Schraubenversetzungen (Löcher).
