Ein Kurzschluss zwischen Kollektor und Emitter kann den Transistor sofort zerstören.
Un court-circuit entre le collecteur et l'émetteur peut détruire instantanément le transistor.
Verfahren zur Herstellung eines Transistors und Transistor.
Herstellungsverfahren eines Transistors mit metallischem Gatter und entsprechender Transistor
Procédé de fabrication d'un transistor à grille métallique, et transistor correspondant
Transistor, Verstärker mit diesem Transistor und Verfahren zur Herstellung dieses Transistors
Transistor, amplificateur comprenant ce transistor et méthode de fabrication de ce transistor
Differential-Verstärker wie aufgeführt in Anspruch 19, wobei der siebte und achte Transistor zueinander passende Transistoren sind.
Amplificateur différentiel comme exposé dans la revendication 19, dans lequel les septième et huitième transistors sont des transistors d'adaptation.
Wandler nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet , daß der erste Transistor mit einem Spannungsteiler verbunden ist, der der Basis und dem Emitter des dritten Transistors zugeordnet ist.
Transducteur selon la revendication 10, dans lequel ledit premier transistor est couplé à un diviseur de tension associé à la base et à l'émetteur dudit troisième transistor.
Differential-Verstärker gemäß einem der Ansprüche 8-22, wobei der erste, zweite, dritte, vierte, fünfte und sechste Transistor zueinander passende Transistoren sind.
Amplificateur différentiel selon l'une quelconque des revendications 8 à 22, dans lequel les premier, second, troisième, quatrième, cinquième et sixième transistors sont des transistors d'adaptation.
Speichervorrichtung nach Anspruch 5, weiterhin gekennzeichnet durch eine Anordnung von Transistoren, wobei die Anordnung von Transistoren den mindestens einen Transistor beinhaltet.
Dispositif à mémoire selon la revendication 5, caractérisé en outre par : un groupement de transistors, dans lequel ledit groupement de transistors comprend ledit au moins un transistor.
Vorrichtung nach Anspruch 16, bei der das photoelektrische Wandlerelement einen bipolaren Transistor und eine an der Basis des bipolaren Transistors angeordnete Kapazität aufweist.
Appareil selon la revendication 16, dans lequel l'élément de conversion photo-électrique comporte un transistor bipolaire et une capacité à la base du transistor bipolaire.
Verstärker nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Mittel zum Liefern einer niedrigen Impedanz einen Transistor aufweisen und Mittel zum Vorspannen des genannten Transistors.
Amplificateur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que les moyens pour fournir une basse impédance comprennent un transistor et des moyens pour polariser ledit transistor.
Verfahren nach Anspruch 13, wobei die Widerstandslast ein Transistor ist, der über den Parallelresonanzkreis gekoppelt ist, und der Schritt des Modulierens das Verändern einer Vorspannung umfasst, die an das Gate des Transistors angelegt wird.
Procédé selon la revendication 13, dans lequel la charge résistive est un transistor couplé aux bornes du circuit bouchon et l'étape de modulation comprend la variation d'une tension de polarisation appliquée à la grille du transistor.
Schaltung nach Anspruch 1, bei der jede Diode durch einen als Diode konfigurierten Transistor gebildet ist und sämtliche die Schaltung aufbauenden Transistoren die minimale Prozeßgröße besitzen.
Circuit selon la revendication 1, dans lequel chaque diode est constituée d'un transistor monté en diode et dans lequel tous les transistors constituant le circuit ont la dimension minimale du processus.
Der Pufferverstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der vierte Transistor derart definiert ist, dass die Kanallänge des vierten Transistors gleich dem sechsfachen des dritten Transistors ist.
Amplificateur-tampon selon la revendication 2, caractérisé en ce que le quatrième transistor est défini de telle sorte que la longueur de canal du quatrième transistor est égale à six fois celle du troisième transistor.
