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Bitline

Vertaling van "Bitline" in Duits

Bitleitung

Teilbitleitung

Bitleitungsausnehmungen

Hauptbitleitung

Bitleitungsebene

Bitleitungslasten

The sense operation measures millivolts of differences caused by a small capacitor driving a large bitline.

Der Sense-Betrieb misst Millivolt von Differenzspannungen, die durch einen kleinen Kondensator verursacht werden, der eine große Bitleitung antreibt.

The integrated circuit of claim 3 wherein a first end of the chain is coupled to a bitline.

Integrierte Schaltung nach Anspruch 3, wobei ein erstes Ende der Kette an eine Bitleitung gekoppelt ist.

The multiprocessor system of claim 12, wherein a wordline of the second port causes a memory element to be reset without coupling the memory element to a corresponding bitline.

Mehrprozessorsystem nach Anspruch 12, wobei eine Wortleitung des zweiten Anschlusses bewirkt, daß ein Speicherelement ohne Verbinden des Speicherelementes mit einer entsprechenden Bitleitung zurückgesetzt wird.

The method of claim 19, wherein performing an invalidation involves asserting a wordline of a memory element that resets the memory element without coupling the memory element to a bitline.

Verfahren nach Anspruch 19, wobei das Ausführen einer Ungültigmachung das Vorbringen einer Wortleitung eines Speicherelementes beinhaltet, was das Speicherelement zurücksetzt, ohne das Speicherelement mit einer Bitleitung zu verbinden.

The device according to one of claims 3 to 5, wherein a logic state stored in each tunnel junction is switchable by changing a current through a wordline and changing a current through a bitline.

Bauelement nach einem der Ansprüche 3 bis 5, wobei ein in jedem Tunnelübergang gespeicherter Logikzustand durch Ändern eines Stroms durch eine Wortleitung und Ändern eines Stroms durch eine Bitleitung umschaltbar ist.

An array of memory cells as claimed in claim 9, wherein the floating gate (17) of a memory cell (10) overlies a bitline (13) of an adjacent cell.

Matrix aus Speicherzellen nach Anspruch 9, bei welcher das schwimmende Gate (17) einer Speicherzelle (10) eine Bitleitung (13) einer angrenzenden Zelle überdeckt.

The semiconductor memory device as claimed in claim 12, wherein said charge in/output stages (14) formed on the same active region are coupled to a single bitline (15).

Halbleiter-Speicherbauteil nach Anspruch 12, bei dem die auf demselben aktiven Bereich ausgebildeten Ladungen-Eingangs/Ausgangs-Stufen (14) mit einer einzelnen Bitleitung (15) verbunden sind.

The method of any of the preceding claims, where the selecting step a) comprises the step of selecting a cell column having a plurality of memory cells (10) connected to a common bitline (18).

Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei der Auswahlschritt a) den Schritt des Auswählens einer Zellenspalte mit einer Anzahl an eine gemeinsame Bitleitung (18) angeschlossener Speicherzellen (10) aufweist.

The integrated circuit of any of claims 1 to 4 wherein the first end of the chain is coupled to the bitline (BL) via a selection transistor (230a).

Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das erste Ende der Kette über einen Auswahltransistor (230a) mit der Bitleitung (BL) gekoppelt ist.

The PROM array of claim 6, wherein said programming means applies a voltage to the selected bitline (48 + 49) which is substantially equal to the voltage applied to the selected wordline.

PROM-Anordnung nach Anspruch 6, wobei die Programmiereinrichtung eine Spannung an die ausgewählte Bitleitung (48 + 49) anlegt, die im wesentlichen gleich der an die ausgewählte Wortleitung angelegten Spannung ist.

The method of Claim 1 wherein the field energy of each of said pulsed conditioning electric fields is caused by a pulsed current applied between a wordline of said memory array and a bitline of said memory array.

Verfahren nach Anspruch 1, bei welchem die Feldenergie jedes der impulsförmigen elektrischen Vorbereitungsfelder durch einen impulsförmigen Strom hervorgerufen wird, der zwischen eine Wortleitung der Speichermatrix und eine Bitleitung der Speichermatrix angelegt wird.

Arrangement according to Claim 1, in which the terminal areas (13) adjoining the drain areas (1) of a transistor pair (10) are arranged on opposite sides of the associated bitline (11).

Anordnung nach Anspruch 1, bei der die an die Draingebiete (1) eines Transistorpaares (10) angrenzenden Anschlußgebiete (13) an gegenüberliegenden Seiten der zugehörigen Bitleitung (11) angeordnet sind.

The sense amplifier of Claim 1 wherein the precharge circuit (20) clamps the precharge voltage on the bitline (19) to a value that is lower than the value of the first power supply.

Leseverstärker nach Anspruch 1, wobei die Vorladeschaltung (20) die Vorladespannung auf der Bitleitung (19) auf einen Wert begrenzt, der niedriger ist als der Wert der ersten Spannungsversorgung.