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Flash EEPROM
Vertaling van "Flash EEPROM" in Duits
Flash-EEPROM
Flash EEPROM
Flash-EEPROM-Speicher
Flash-EEPROM-Zellen
Flash-EEPROM-System
Schreibmodus-Flash-EEPROM
Flash-EEPROM-Speicherzelle
Flash EEPROM having redundant memory cell array.
Flash-EEPROM mit redundantem Speicherzellenmatrix.
Flash EEPROM with integrated device for limiting the erase source voltage
Flash-EEPROM mit integrierter Anordnung zur Begrenzung der Löschung der Source-Spannung
Flash EEPROM with controlled discharge time of the word lines and source potentials after erase
Flash-EEPROM mit gesteuerter Entladungszeit der Wortleitungs- und Sourcespannungen nach der Löschung
Flash EEPROM according to claim 5, characterized in that said cathode region (41,42) is formed in a well region (2) of the first conductivity type formed in a semiconductor substrate (3).
Flash-EEPROM nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Kathodenbereich (41, 42) in einem Wannenbereich (2) des ersten Leitungstypes gebildet ist, der in einem Halbleitersubstrat (3) gebildet ist.
Flash EEPROM according to claim 11, characterized in that each one of said plurality of negative voltage generator means (NP1-NP8) is selectively activable for permitting the selective application of an erase pulse to the associated memory sector (S1-S8).
Flash-EEPROM nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß jede der Vielzahl von Negativspannungs-Generatoreinrichtungen (NP1-NP8) selektiv aktivierbar ist, um das selektive Anlegen eines Löschimpulses an den zugeordneten Speichersektor (S1-S8) zuzulassen.
DSP software and parameter sets for the algorithms are saved to a 64 MB Flash EEPROM.
Die DSP-Software und Parametersätze für die Algorithmen liegen in einem 64 MB Flash-EEPROM.
Flash EEPROM according to claim 6, characterized by comprising a plurality of diode means (DR, DL), each diode means coupling a respective row (WL0-WL255) with said negative voltage (VP1-VP8) generated by the negative voltage generator means (NP1-NP8).
Flash-EEPROM nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß er eine Vielzahl von Diodeneinrichtungen (DR, DL) aufweist, wobei eine jeweilige Diodeneinrichtung eine jeweilige Zeile (WL0-WL255) mit der durch die Negativspannungs-Generatoreinrichtung (NP1-NP8) erzeugten negativen Spannung (VP1-VP8) koppelt.
The Flash EEPROM on this adapter needs to be updated for the Boot Agent.
Der Flash-EEPROM dieses Adapters muss für den Boot Agent aktualisiert werden.
The Boot Agent update operation writes a new Boot Agent image to the adapter's Flash EEPROM, which might temporarily disable the operation of the Windows* network device driver.
Bei der Aktualisierung des Boot Agent wird ein neues Boot Agent-Image in den Flash-EEPROM des Adapters geschrieben. Dies deaktiviert möglicherweise vorübergehend den Betrieb des Windows*-Netzwerkgerätetreibers.
Flash EEPROM according to claim 7, characterized in that said diode means comprises a diode-connected P-channel MOSFET (DR0-DR255) having a source electrode coupled to a respective word line (WL0-WL255) and a drain electrode coupled to said negative voltage (VP1-VP8).
Flash-EEPROM nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Diodeneinrichtung einen mit einer Diode verbundenen P-Kanal-MOSFET (DR0-DR255) mit einer mit einer jeweiligen Wortleitung (WL0-WL255) gekoppelten Source-Elektrode und einer mit der negativen Spannung (VP1-VP8) gekoppelten Drain-Elektrode aufweist.
An asymmetric multilayered dielectric material and a flash EEPROM using the same.
Asymmetrisches mehrschichtiges dielektrisches Material und ein Flash-EEPROM der es enthält.
Double-row address decoding and selection circuitry for an electrically erasable and programmable non-volatile memory device with redundancy, particularly for flash EEPROM devices.
Doppelreihige Adressendekodierung- und Auswahlschaltung für eine elektrisch löschbare und programmierbare nichtflüchtige Speicheranordnung mit Redundanz, insbesondere für Flash-EEPROM Anordnungen.
A flash EEPROM erasing method according to claim 1, wherein the additional erasing operation after the verification is performed row by row.
Löschverfahren für einen Flash-EEPROM nach Anspruch 1, bei dem der zusätzliche Löschvorgang nach der Verifizierung Reihe für Reihe ausgeführt wird.
Synoniemen voor Flash EEPROM in het Engels
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