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InAs layer
Vertaling van "InAs layer" in Duits
InAs-Schicht
The unipolar quantum cascade laser according to claim 15, wherein the location and the thickness of said InAs layer is selected in such a manner that the lattice tension induced by said AlAs blocking layer is compensated.
Unipolarer Quantenkaskadenlaser nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Lage und die Dicke der InAs-Schicht derart gewählt sind, dass die durch die AlAs-Blockadeschicht induzierte Gitterverspannung kompensiert ist.
The field effect transistor as claimed in claim 18, wherein said first semiconductor insert layer (21) is made of a semiconductor whose lattice constant differs from that of InAs in the InAs layer by 3.5% or higher.
Feldeffekttransistor nach Anspruch 18, worin die erste Halbleiter-Einschubschicht (21) aus einem Halbleiter hergestellt ist, dessen Gitterkonstante von derjenigen von InAs der InAs-Schicht um 3,5 % oder mehr verschieden ist.
The field effect transistor as claimed in claim 1, characterized in that the difference between the lattice constant of the substrate (1) and that of InAs of the InAs layer (3) is 3.5% or higher.
Feldeffekttransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Differenz zwischen der Gitterkonstante des Substrats (1) und derjenigen von InAs der InAs-Schicht (3) 3,5 % oder höher ist.
The field effect transistor as claimed in any one of claims 1 to 25, characterized in that the InAs layer (3) has a thickness equal to or less than 40 nm (400Å).
Feldeffekttransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 25, dadurch gekennzeichnet, daß die InAs-Schicht (3) eine Dicke aufweist, die gleich ist oder geringer ist als 40 nm (400 Å).
The unipolar quantum cascade laser according to one of the claims 6 to 18, wherein an InAs layer, which compensates said lattice tension induced by said AlAs blocking layer, is provided for each AlAs blocking layer inside said active area.
Unipolarer Quantenkaskadenlaser nach einem der Ansprüche 6 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass zu jeder AlAs-Blockadeschicht innerhalb des aktiven Bereiches jeweils eine InAs-Schicht vorgesehen ist, die die durch die AlAs-Blockadeschicht induzierte Gitterverspannung kompensiert.
A group III-V compound semiconductor laser according to claim 1, wherein said active layer has a superlattice structure having a layer alternately laminating an InAs layer and a GaAs layer.
Verbindungshalbleiterlaser der Gruppe III-V nach Anspruch 1, bei dem die aktive Schicht eine Supergitterstruktur besitzt mit einer Schicht, die abwechselnd als InAs-Schicht und eine GaAs-Schicht laminiert ist.
A surface emitting semiconductor laser as set forth in claim 4: wherein the above and below DBR multi-layer f ilms each that are the above and below light reflecting layers include an InAs layer therein, the InAs layer being circularly surrounded by an oxide region of InAs.
Oberflächenemissionshalbleiterlaser, wie in Anspruch 3 dargelegt wobei die oberen und unteren DBR-Mehrschichtfilme, die die oberen und unteren Lichtreflexionsschichten sind, jeder eine InAs-Schicht darin inkludieren, wobei die InAs-Schicht durch eine Oxidregion aus InAs kreisförmig umgeben ist.
Below this InAs layer the substrate material GaAs is located.
Unterhalb dieser InAs Schicht befindet sich das Substratmaterial GaAs.
In contrast to the previous surface reconstructions, where structural strain is sufficiently reduced, this second (2×4) reconstructed InAs layer accumulates unfavorable amounts of compressive strain from the InAs incorporation.
Im Gegensatz zu den vorherigen Oberflächenrekonstruktionen, bei denen die strukturelle Gitterverspannung effizient abgebaut werden kann, staut sich in dieser zweiten (2×4) rekonstruierten Schicht mit dem weiteren Einbau von Indiumatomen eine kompressive Gitterverspannung an.
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Synoniemen voor InAs layer in het Engels
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