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InGaN LEDs

Vertaling van "InGaN LEDs" in Duits

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InGaN-LED
InGaN-LEDs
Developers at Osram Opto Semiconductors have managed to reduce the typical forward voltages of green direct emitting InGaN LEDs by 600 mV to 2.6 V at power densities of 45 A/cm2.
Die Entwickler bei Osram Opto Semiconductors haben es geschafft, die typischen Vorwärtsspannungen grüner, direkt emittierender InGaN-LED bei Stromdichten von 45 A/cm2 um 600 mV auf 2,6 V zu senken.
Blue and green colors can be achieved by using InGaN LEDs.
Blaue und grüne Farben können unter Verwendung von InGaN-LEDs erhalten werden.
Until recently, these efficiency values seemed unattainable for green direct emitting InGaN LEDs.
Diese Effizienzwerte schienen bei direkt grün emittierenden InGaN-LED noch bis vor kurzem unerreichbar.
Our breakthrough extends the emission range of InGaN LEDs to meet the performance needs of the red display, whilst delivering the ability to scale wafer size required by micro-LED semiconductor display technology.
Unser Durchbruch erweitert den Emissionsbereich von InGaN-LEDs, um die Leistungsanforderungen des roten Displays zu erfüllen und gleichzeitig die Wafergröße zu skalieren, die für die Micro-LED-Halbleiter-Display-Technologie erforderlich ist.
However the resulting polarization fields on (0001) GaN have detrimental effects on the optical properties of nitride light emitters, e.g. causing significant wavelength shifts and reduced efficiencies in InGaN LEDs.
Die resultierenden Polarisationseffekte haben allerdings negative Auswirkungen auf die optischen Eigenschaften der Lichtemitter. So verursachen sie z. B. eine Wellenlängenverschiebung mit ansteigender Stromdichte und verringern die Effizienz von LEDs.

Andere resultaten

For over ten years, FOREPI has focused on pure-play manufacture of high power InGaN LED wafers and chips and has been a long-time user of AIXTRON systems for advanced high performance HB-LED product manufacture.
Seit mehr als zehn Jahren ist FOREPI auf die Herstellung InGaN-basierter Wafer und Chips für Hochleistungs-LEDs spezialisiert und langjähriger Anwender von AIXTRON Systemen in diesem Bereich.
Forepi was incorporated in November 1999 as a dedicated pure-play manufacturer of high brightness InGaN LED wafers and chips.
Forepi wurde im November 1999 gegründet - ursprünglich als klassischer Hersteller von LED-Wafern und -Chips auf InGaN-Basis.
When InGaN high bright LED was invented, LED has immediately become extremely useful for numerous applications.
Als InGaN hohe helle LED erfunden wurde, ist LED sofort für zahlreiche Anwendungen extrem nützlich geworden.
At the Regensburg production facility, InGaN-based LEDs have been manufactured since 1996.
Im Regensburger Werk werden seit 1996 InGaN-basierte Leuchtdioden gefertigt.
In its second decade of commercial operations, FOREPI remains tightly focussed on leadership in the pure-play manufacture of high brightness InGaN-based LED wafers and chips.
Auch in seinem zweiten Geschäftsjahrzent hat FOREPI die Führungsrolle in der Herstellung sehr heller InGaN-basierter LED-Wafer und Chips fest im Visier.
As a result, the company is now the first to launch a commercially available native red indium gallium nitride (InGaN) LED epiwafer for micro-LED applications.
Infolgedessen ist das Unternehmen jetzt der erste, der einen im Handel erhältlichen nativen roten Indiumgalliumnitrid (InGaN) -LED-Epiwafer für Mikro-LED-Anwendungen auf den Markt brachte.
In a move that seems as a counteraction, Nichia announced that it entered into a series of agreements with Opto Tech, a large Taiwan-based corporation, with respect to collaboration between the companies, including alliances, in InGaN material for LEDs.
In einer Bewegung, die als Gegenwirkung scheint, verkündete Nichia, dass es an einer Reihe Vereinbarungen mit Opto Tech teilnahm, eine große Taiwan-gegründete Korporation, in Bezug auf Zusammenarbeit zwischen den Firmen, einschließlich Bündnisse, im InGaN Material für LED.
Lattice Power placed its order in the fourth quarter of 2009 for the growth of high-power InGaN on silicon LEDs.
Die im vierten Quartal 2009 bestellten Anlagen werden für die Herstellung von InGaN-auf-Siliziumbasierten Hochleistungs-LEDs benötigt.
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Synoniemen voor InGaN LEDs in het Engels

Woord & uitdrukking van de dag
Afbeelding van de dag
sword: ceremonial weapon symbolizing authority
Ontdek het woord
sword
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