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N-type components
Examples with "N-type components" and their translation in Duits
N-type components are often paired with p-type materials in circuit designs.
N-Typ-Komponenten werden häufig mit p-Typ-Materialien in Schaltungsdesigns kombiniert.
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Manufacturers often prefer using n-type materials for their electronic components.
Hersteller ziehen häufig die Verwendung von n-Typ-Materialien für ihre elektronischen Bauteile vor.
According to the invention, this object is achieved by an electronic component in which a p-n junction with a p-type and an n-type layer is provided as controllable space-charge region.
Erfindungsgemäß wird dieses Ziel durch ein elektronisches Bauelement erreicht, bei dem als eine steuerbare Raumladungszone ein pn-Übergang mit einer p-leitenden und einer n-leitenden Schicht vorgesehen ist.
The semiconductor pumping laser component according to claim 7, wherein said n-type impurity is Silicon.
Die Halbleiter-Pumplaser-Komponente nach Anspruch 7, worin das Fremdatom des n-Typs Silizium ist.
Based on components of the N type coaxial connector, the RDC is the ideal connector for outdoor applications with 2 fibers.
Die optischen RDC-Steckverbinder auf Basis der koaxialen Standard-N Typen sind ideal für Außenanwendungen mit 2 Fasern.
Component according to Claim 3, characterized in that the specific resistance of the n-type base layer (6) has a value of about 500 Ohm cm.
Bauelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der spezifische Widerstand der n-Basisschicht (6) etwa 500 Ωcm beträgt.
Circuit according to claim 2, in which the components comprise p-type resistors which are surrounded by a region of n-type conductivity, characterized in that the first and the second transistor are of the p-n-p type.
Schaltung nach Anspruch 2, in welchem die Baugruppen Widerstände vom p-Typ aufweisen, welche von einem Bereich mit n-Leitung umgeben sind, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und die zweiten Transistoren vom pnp-Typ sind.
Surface emitting semiconductor laser array structure composed of GaAlAs or InGaAsP material without substrate and with mutually crossed metallic contact strips (l, o) which extend on the n-type or p-type contact side directly below or above the semiconductor components.
Oberflächenemittierende Halbleiterlaserarraystruktur aus GaAlAs- oder InGaAsP-Material ohne Substrat mit zueinander gekreuzten metallischen Kontaktierungsstreifen (l, o), die auf der n-bzw. p-Kontaktseite direkt unter bzw. über den Halbleiterbauelementen verlaufen.
A noise reducing element according to claim 5, characterized in that said junction is constituted between a component of a n-type semiconductor material and a component of a p-type semiconductor material being junctioned directly or through a solder layer.
Rauschreduzierelement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung zwischen einer Komponente eines Halbleitermaterials von n-Typ und einer Komponente eines Halbleitermaterials vom p-Typ gebildet ist, die direkt oder über eine Lötschicht verbunden sind.
An organic electroluminescent component as claimed in Claim 1, characterized in that a p-type material is present together with the luminescent material in a first homogenous layer, and an n-type material together with the luminescent material in a second homogenous layer.
Organisches elektrolumineszentes Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß ein p-leitendes Material mit dem lumineszierenden Material in einer ersten homogenen Schicht und ein n-leitendes Material mit dem lumineszierenden Material in einer zweiten homogenen Schicht enthalten sind.
The semiconductor pumping laser component according to claim 6, wherein the layered structure of the pumping laser device comprises an n-type cladding layer (15), and wherein the n-type cladding layer is doped with at least silicon.
Die Halbleiter-Pumplaser-Komponente nach Anspruch 6, worin die geschichtete Struktur der Pumplaser-Vorrichtung eine Mantelschicht (15) des n-Typs umfasst und worin die Mantelschicht des n-Typs mindestens mit Silizium dotiert ist.
The electrode of claim 1 wherein the electron-emitting material contains M I M II O 2 N type crystals as the oxynitride perovskite wherein M I denotes the first component and M II denotes the second component.
Elektrode nach Anspruch 1, wobei das Elektronen emittierende Material Kristalle vom Typ M I M II O 2 N als Oxynitrid-Perowskit enthält, wobei M I die erste Komponente bedeutet und M II die zweite Komponente bedeutet.
N-type standard pumps are normal-priming, single-stage, plastic centrifugal pumps with horizontal axis. Their dimensions and flow rates correspond to DIN/EN 22858. The standard use of extension coupling ensures simple dismantling of bearing supports and internal pump components without removing the pipe connections and motor.
Chemie-Normpumpen der Typenreihe N sind normalsaugende, einstufige, Kreiselpumpen aus Kunststoff in horizontaler Bauart und entsprechen in Abmessungen und Leistungsbereich der DIN/EN 22858. Der standardmäßige Einsatz von Ausbaukupplungen gewährleistet den einfachen Ausbau von Lagerträger und Pumpeninnenteilen ohne Demontage der Rohrleitungsanschlüsse und des Motors.
Synoniemen voor N-type components in het Engels
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