P-type thermoelectric converting substance and method of manufacturing the same
Thermoelektrische Umwandlungssubstanz vom p-Typ und Herstellungsverfahren dafür
Solar cell comprising multicrystalline silicon and method of texturing the surface of P-type multicrystalline silicon
Multikristalline Silizium enthaltende Solarzelle und Verfahren zum Texturieren der Oberfläche von multikristallinem Silizium vom P-Typ
A process as claimed in any preceding Claim, wherein the dopant is a P-type impurity.
Verfahren nach einem der vorgehenden Ansprüche, bei welchem der Dotierstoff eine p-leitende Verunreinigung ist.
An implantable pulse generator in accordance with claim 4, wherein said third and fourth switches (516,518) are P-type FETs.
Implantierbarer Impulsgenerator nach Anspruch 4, wobei der dritte und der vierte Schalter (516,518) FETs des P-Typs sind.
A P-type thermoelectric material prepared from the complex oxide as defined in any one of claims 1 to 3.
Thermoelektrisches Material vom P-Typ, das aus einem komplexen Oxid gemäss mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3 hergestellt ist.
The field effect transistor of claim 5, wherein said at least one channel (15) is P-type and wherein said substrate bias voltage is positive.
Feldeffekttransistor nach Anspruch 5, wobei der mindestens eine Kanal (15) vom P-Typ ist und wobei die Substratvorspannung positiv ist.
The electrons are excited to generate convection of electrons and holes, which are affected by the built-in potential, which are attracted by the N-type and P-type semiconductors, respectively, and are concentrated at both ends.
Die Elektronen werden angeregt, um eine Konvektion von Elektronen und Löchern zu erzeugen, die durch das eingebaute Potential beeinflusst werden, die von den Halbleitern vom N-Typ bzw. vom P-Typ angezogen werden und an beiden Enden konzentriert sind.
The composition of claim 1 wherein the synthetic analogue is a P-type IPG synthetic analogue.
Zusammensetzung nach Anspruch 1, worin das synthetische Analogon ein synthetisches IPG-Analogon vom P-Typ ist.
A method according to any preceding claim, wherein the first conductivity type impurities are N-type impurities and the second conductivity type impurities are P-type impurities.
Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Verunreinigungen des ersten Leitfähigkeitstyps Verunreinigungen vom N-Typ sind und die Verunreinigungen des zweiten Leitfähigkeitstyps Verunreinigungen vom P-Typ sind.
The integrated circuit of claim 7 wherein said semiconductor substrate wafer is P-type and said first conductivity type is N-type.
Der integrierte Schaltkreis nach Anspruch 7, bei dem das Halbleiter-Wafer-Substrat vom P-Typ ist und der erste Leitfähigkeitstyp N-Typ ist.
The process of claim 3 or 4, wherein the N-type and P-type wells are formed in an upper portion of a semiconductor substrate.
Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, wobei die Wannen vom N-Typ und vom P-Typ in einem oberen Abschnitt eines Halbleitersubstrats ausgebildet werden.
A method according to claim 11 wherein said semiconductor body is P-type silicon and said impurity is N-type silicon.
Verfahren nach Anspruch 11, bei welchem der Halbleiterkörper aus Silicium vom P-Typ besteht und der Störstoff Silicium vom N-Typ ist.
P-type semiconductors are crucial for developing advanced electronic components.
P-Typ-Halbleiter sind entscheidend für die Entwicklung fortschrittlicher elektronischer Komponenten.