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P type semiconductor
Vertaling van "P type semiconductor" in Duits
p-Typ-Halbleiter
p-Halbleitersubstrat
The booster circuit as set forth in claim 1 or 2 wherein the semiconductor substrate is composed of a P type semiconductor, wherein the first well is composed of an N type semiconductor, and wherein the second well is composed of a P type semiconductor.
Erhöhungsschaltung nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Halbleitersubstrat aus einem p-Typ-Halbleiter besteht, wobei die erste Wanne aus einem N-Typ-Halbleiter besteht, und wobei die zweite Wanne aus einem P-Typ-Halbleiter besteht.
A capacitor as claimed in claim 7, wherein the semiconductor of the first type is P type semiconductor.
Kondensator nach Anspruch 7, bei welchem der Halbleiter des ersten Typs ein P-Typ Halbleiter ist.
A charge transfer apparatus according to anyone of claims 2 to 4, wherein said transfer region and storage region are formed on a surface of a p type semiconductor region (2) formed on an n type semiconductor substrate (1).
Ladungsübertragungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, bei der die Übertragungsregion und die Speicherregion auf einer Fläche einer Halbleiterregion (2) vom p-Typ ausgebildet sind, die ihrerseits auf einem Halbleitersubstrat (1) vom n-Typ ausgebildet ist.
A photovoltaic element (901; 1001; 1101) according to one of the preceding claims, wherein the layer thickness of said microcrystalline p type semiconductor layer (908; 1010; 1123) is 8 to 15 nm (80 to 150 Å).
Fotovoltaisches Element (901; 1001; 1101) nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Schichtdicke der mikrokristallinen p-Halbleiterschicht (908; 1010; 1123) 8 bis 15 nm (80 bis 150 Å) beträgt.
The semiconductor laser device of claim 4, wherein said p type semiconductor substrate (1a) and said cladding layers (11a, 15a) comprise InP and said active layer (2a) comprises InGaAsP.
Halbleiterlaserbauelement nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das p-Typ Halbleitersubstrat (1a) und die Überzugsschichten (11a, 15a) InP aufweisen und die aktive Schicht (2a) InGaAsP aufweist.
The infrared image sensor according to any preceding claim, wherein the metal electrode (17) of each of said Schottky type infrared detector elements (8) comprises a metal silicide layer on a p type semiconductor substrate (21).
Infrarot-Bildsensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Metallelektroden (17) von jedem der Schottky-Infrarot-Detektorelemente (8) eine Metallsilizidschicht auf einem p-Halbleitersubstrat (21) aufweist.
A head (100,818) according to claim 10, wherein said P type semiconductor substrate (71) has an impurity concentration which lies within a range from 1 x 10¹² to 1 x 10¹⁶ cm⁻³.
Aufzeichnungskopf (100,818) nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das p-Halbleitersubstrat (71) eine Störstellenkonzentration aufweist, die in einem Bereich von 1 · 10¹² bis 1 · 10¹⁶ cm⁻³ liegt.
Synoniemen voor P type semiconductor in het Engels
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Afbeelding van de dag
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