Vertaling van "RAM cell" in Duits
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A static RAM cell as defined in claim 7 further comprising a layer of silicide (22, 34) formed over said polysilicon electrodes and interconnects.
Eine statische RAM-Zelle nach Anspruch 7, ferner eine Schicht aus Silicid (22, 34) umfassend, die über den Polysilicium-Elektroden und den Durchverbindungen gebildet ist.
A static RAM cell as defined in claim 8 wherein each transistor is constructed in an island in said substrate (10) which is electrically isolated from the rest of the substrate.
Eine statische RAM-Zelle nach Anspruch 8, bei der jeder Transistor in einer Insel in dem Substrat (10) aufgebaut ist, die elektrisch isoliert ist von dem Rest des Substrats.
A process according to claim 4, wherein said silicon oxide thin layer is a dielectric layer of a stacked capacitor (41) of a dynamic RAM cell, and is formed by a thermal oxidation of a polycrystalline silicon layer.
Verfahren nach Anspruch 4, bei dem die Siliziumoxid-Dünnschicht eine dielektrische Schicht eines gestapelten Kondensators (41) einer dynamischen RAM-Zelle ist und durch eine thermische Oxidation einer polykristallinen Siliziumschicht gebildet wird.
A static RAM cell as defined in claim 9 wherein said gate electrode (20) is self-aligned with the edges of the source (24) and drain (26) regions.
Eine statische RAM-Zelle nach Anspruch 9, bei der die Gate-Elektrode (20) selbstausgefluchtet ist mit den Kanten des Source- (24) und Drain- (26)-Bereichs.
Dynamic RAM cell having shared trench storage capacitor with sidewall-defined bridge contacts and gate electrodes.
Dynamische RAM-Zelle mit einem gemeinsamen Grabenspeicherkondensator, welcher durch die Seitenwände definierte Brückenkontakte und Torelektroden aufweist.
A RAM cell substantially consists of two n or p channel transistors, whereby the gate terminal of one transistor is back-coupled to the output of the second transistor and the gate terminal of the second transistor is back-coupled to the output of the first transistor.
Eine RAM-Zelle besteht im Wesentlichen aus zwei n- oder p-Kanal-Transistoren, wobei der Gate-Anschluß eines Transistors an den Ausgang des zweiten Transistors und der Gate-Anschluss des zweiten Transistors an den Ausgang des ersten Transistors rückgekoppelt ist.
A static RAM cell according to any of claims 2 to 5, wherein said oxidation prevention layer (14b) is SiN.
Statische RAM-Zelle nach einem der Ansprüche 2 bis 5, bei der die Oxidationsverhinderungsschicht (14b) aus SiN besteht.
The multi-port RAM of claim 8 or 11, wherein the test function means comprises OR function circuits (650,652,750,752), each receiving data from the respective port of each RAM cell.
Multiport-RAM nach Anspruch 8 oder 11, bei dem die Testfunktionseinrichtung ODER-Funktionsschaltungen (650,652, 750,752) umfaßt, die jeweils Daten von dem jeweiligen Port jeder RAM-Zelle empfangen.
At any point in time control line 4 is controlled via the ALU so that the RAM cell always exactly follows the type of memory access specified by the ALU.
Es wird über die ALU zu jedem Zeitpunkt die Steuerleitung 0104 kontrolliert, so daß die RAM-Zelle stets genau die Art des Speicherzugriffes befolgt, die von der ALU vorgegeben ist.
A static RAM cell according to claim 2 or claim 3, wherein each of said transistors (Tr1-Tr4) has a gate electrode (1,1',13) formed of polysilicon.
Statische RAM-Zelle nach Anspruch 2 oder Anspruch 3, bei der jeder der Transistoren (Tr1-Tr4) eine aus Polysilicium bestehende Gateelektrode (1, 1', 13) aufweist.
A logic array according to claim 2 or 3 wherein said static RAM cell in CMOS technology is comprised of four cross coupled FETs (Q1 to Q4).
Eine logische Anordnung nach Anspruch 2 oder 3, bei der die statische RAM-Zelle in CMOS-Technologie vier über Kreuz gekoppelte FETs (Q1 bis Q4) enthält.
Column line powered static ram cell.
Statische RAM-Zelle mit Stromversorgung über die Spaltenleiter.
Static ram cell with trench pull-down transistors and buried-layer ground plate.
Statische Ram-Zelle mit an Masse verbundene Graben-Transistoren und vergrabene Masseschicht.