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A code setting circuit according to any one of Claims 1 to 4, in which the capacitance of said capacitor (C1;C2;C3) is larger than the parasitic capacitance associated with said output node.
Code-Einstellschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, in der der Kapazitätswert des Kondensators (C1;C2;C3) größer ist als derjenige der parasitären Kapazität, die mit dem Ausgangsknotenpunkt zusammenhängt.
A code setting memory for transport containers which are intended especially for passing through solvent rinsing plants is proposed.
Es wird ein Kodierspeicher für Transportbehälter vorgeschlagen, welche insbesondere zum Hindurchfüh- ren durch Lösemittel-Auswaschanlagen bestimmt sind.
A code setting circuit according to Claim 1, in which said resistor (R1;R2;R3) is a fusible thin film resistor whose resistance value is smaller than ON-resistance of said transistor.
Code-Einstellschaltung nach Anspruch 1, in der der Widerstand (R1;R2;R3) ein schmelzbarer Dünnschicht-Widerstand ist, dessen Widerstandswert kleiner ist als der EIN-Widerstand des Transistors.
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