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a dopant diffusion
Examples with "a dopant diffusion" and their translation in Duits
The invention relates to a semiconductor component and to a method for limiting a dopant diffusion, in particular a phosphorus diffusion in germanium.
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement ein Verfahren zur Begrenzung einer Dotierstoff-Diffusion, insbesondere einer Phosphor-Diffusion in Germanium.
Andere resultaten
An article for use in a process of dopant-diffusion in semiconductors made according to the method of claim 1.
Gegenstand zur Verwendung in einem Dotierungs-Diffusionsprozeß in Halbleitern hergestellt nach dem Verfahren gemäß Anspruch 1.
A dopant out-diffusion (80), which is formed while leading out from the buried contact (60), is arranged inside the epitaxially grown layer (75).
In der epitaktisch aufgewachsenen Schicht (75) ist eine Dotierstoffausdiffusion (80) angeordnet, die aus dem vergrabenen Kontakt (60) heraus gebildet wird.
A METHOD FOR INTRODUCTION OF AN IMPURITY DOPANT IN SiC, A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED BY THE METHOD AND A USE OF A HIGHLY DOPED AMORPHOUS LAYER AS A SOURCE FOR DOPANT DIFFUSION INTO SiC
VERFAHREN ZUR EINFÜHRUNG EINER IN SiC DOTIERENDER VERUNREINIGUNG; DADURCH HERGESTELLTES HALBLEITERBAUELEMENT UND GEBRAUCH EINER HOCHDOTIERTEN AMORPHEN SCHICHT ALS DOTIERSTOFFQUELLE ZUR DIFFUNDIERUNG IN SiC
Due to the high process temperatures there's a diffusion of dopants in the substrate or impurities, which have been used in earlier processes, can move to the substrate.
Durch die hohen Temperaturen kommt es jedoch zu einer Diffusion der Dotierstoffe im Substrat, bzw. zu einer Verunreinigung durch Dotierstoffe, die sich bei vorherigen Prozessen an den Reaktorwänden abgelagert haben.
Method of controlling dopant diffusion and dopant electrical activation.
Verfahren zum Regeln der Diffusion und der elektrischen Aktivierung eines Dotierungsmaterials.
Synthetic silica glass article for dopant-diffusion process in semiconductors.
Gegenstand aus synthetischem Quarzglas für den Dotierungs-Diffusionsprozess in Halbleitern.
Method for minimizing lateral and vertical dopant diffusion in gate structures
Verfahren zur Minimieren von vertikaler und lateraler Dotierstoffendiffusion in Gatterstrukturen
Means of controlling dopant diffusion in a semiconductor heterostructure
Vorrichtung zur Kontrolle der Dotierungsdiffusion in Halbleiterheterostrukturen
Process for controlling dopant diffusion in a semiconductor layer and semiconductor layer formed thereby
Verfahren zur Kontrolle der Diffusion eines Dotiermaterials in einer Halbleiterschicht und dadurch hergestellte Halbleiterschicht
This means that the dopant diffusion during subsequent processes is less than that of phosphorus and thus the arsenic remains at the position where it was introduced into the lattice originally.
Das bedeutet, dass der Dotierstoff bei späteren Prozessschritten weniger stark diffundiert und die Dotierung somit an der Stelle bleibt, wo sie eingebracht wurde.
CONTROL OF JUNCTION DEPTH AND CHANNEL LENGTH USING GENERATED INTERSTITIAL GRADIENTS TO OPPOSE DOPANT DIFFUSION
KONTROLLE DER P-N-ÜBERGANGSTIEFE UND KANALLÄNGE DURCH ERZEUGUNG VON DIE DOTIERSTOFFDIFFUSION HEMMENDEN ZWISCHENGITTERSTELLEN-GRADIENTEN
The method of claim 3 wherein the metal oxide layer (24) has a sufficient thickness to prevent dopant diffusion from the insulating layer (26) to the underlying region.
Verfahren nach Patentanspruch 3, bei welchem die Metalloxidschichten (24) eine ausreichende Dicke aufweist, um eine Dotiermitteldiffusion von der Isolierschicht (26) zu dem tieferliegenden Bereich zu verhindern.
Synoniemen voor a dopant diffusion in het Engels
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