In the case of the integrated construction of such a memory cell, the heating resistor is arranged very near to the bipolar transistor, so that the bipolar transistor is likewise heated to a great extent.
Beim integrierten Aufbau einer solchen Speicherzelle ist der Heizwiderstand sehr nah an dem Bipolartransistor angeordnet, so dass der Bipolartransistor ebenfalls stark erwärmt wird.
These properties of a phi JJ can be utilized, for example, as a memory cell (classical bit).
Diese Eigenschaften können dazu benutzt werden, einen phi-Kontakt zum Beispiel als Speicherzelle (klassisches Bit) einzusetzen.
After a first external attack, the young T-cell becomes a memory cell able to counter that specific attack at a later time; this T-cell is then no longer available to protect against a new invader.
Nach einem ersten Angriff von außen wird die junge T-Zelle zur Speicherzelle, um diesen spezifischen Angriff später aufs Neue neutralisieren zu können. Auf diese Weise steht diese T-Zelle nicht mehr zur Verfügung, um wieder gegen einen neuen Eindringling schützen zu können.
Memory with capacitive EEPROM cell and process for reading such a memory cell.
Speicher mit kapazitiver EEPROM-Speicherzelle und Verfahren zum Lesen dieser Speicherzelle.
The architecture of a memory cell determines how information is organized.
System employing negative feedback for decreasing the response time of a memory cell.
Semiconductor memory device having a memory cell capacitor and a fabrication process thereof.
Halbleiterspeicheranordnung mit einer kapazitiven Speicherzelle und dessen Herstellungsverfahren.
Method and apparatus for equilibrating a memory cell.
Thus are difficult to achieve with such a memory cell sufficiently long retention times.
Somit sind mit solchen Speicherzellen ausreichend lange Haltezeiten nur schwer erreichbar.
Bias circuit for a transistor in a memory cell.
Non-volatile semiconductor memory device using a differential cell in a memory cell.
Eine nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung, die eine differentielle Zelle als Speicherzelle gebraucht.
Integrated circuit for the programming of a memory cell in a non-volatile memory register.
Integrierte Schaltung für die Programmierung einer Speicherzelle eines nicht flüchtigen Speicherregisters.
Vertical transistor implemented in a memory cell comprising a trench capacitor
Vertikaler Transistor implementiert in einer Speicherzelle mit Grabenkondensator