Method and apparatus for storing a media access control address in a remotely alterable memory.
Verfahren und Vorrichtung zum Speichern einer Mediumzugrifts-Steueradresse in einem fernveränderbaren Speicher.
Non-volatile electrically alterable memory with write control.
Nicht-flüchtiger elektrisch veränderbarer Speicher mit Schreibsteuerung.
Nonvolatile electrically alterable memory and method.
Nichtflüchtiger elektrisch programmierbarer Speicher und dessen Herstellungsverfahren.
The identification tag of any of claim 1 - 9, further comprising: means for extracting data carried by a modulated signal and for reprogramming said alterable memory.
Identifikationsetikett nach einem der Ansprüche 1 bis 9, das ferner Mittel zum Extrahieren von durch ein moduliertes Signal übertragenen Daten und zum Umprogrammieren des änderbaren Speichers umfasst.
A method according to claim 17, wherein the data is stored in the user alterable memory means (306,308) prior to a text message associated therewith being transmitted to the remote mobile terminal.
Verfahren nach Anspruch 17, bei dem die Daten in den von einem Anwender veränderbaren Speichermitteln (306,308) gespeichert werden, bevor eine ihnen zugeordnete Textnachricht an das entfernte mobile Endgerät übertragen wird.
A nonvolatile electrically alterable memory cell according to claim 5 wherein said second silicon dioxide layer is thicker than said first silicon dioxide layer.
Nichtflüchtige, elektrisch änderbare Speicherzelle nach Anspruch 5, wobei die zweite Siliziumdioxidschicht dicker ist als die erste Siliziumdioxidschicht.
A method according to any of claims 14 to 16, wherein the data is storable in the user alterable memory means (306,308).
Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 16, bei dem die Daten in den von einem Anwender veränderbaren Speichermitteln (306,308) gespeichert werden können.
Nonvolatile electrically alterable memory.
A nonvolatile electrically alterable memory cell according to claim 1 or claim 7 wherein the boundaries of said second substrate region (16) are aligned with the boundaries of said first portion (20) of said first polysilicon layer.
Nichtflüchtige, elektrisch änderbare Speicherzelle nach Anspruch 1 oder 7, wobei die Grenzen des zweiten Substratbereichs (16) mit den Grenzen des ersten Teils (20) der ersten Polysiliziumschicht ausgerichtet sind.
The method of Claim 1 wherein said secret stored in said transmitter and in said receiver by programming electrically alterable memory disposed in said transmitter and in said receiver.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Geheiminformation in Sender und Empfänger durch Programmieren eines elektrisch änderbaren, in Sender und Empfänger angeordneten Speichers (ab) gespeichert wird.
METHOD AND APPARATUS FOR FORMING A SIDE WALL CONTACT IN A NONVOLATILE ELECTRICALLY ALTERABLE MEMORY CELL.
VERFAHREN UND APPARAT ZUR HERSTELLUNG EINES SEITENWANDKONTAKTS IN EINER ELEKTRISCH VERÄNDERBAREN NICHTFLÜCHTIGEN SPEICHERZELLE.
The printer as in claim 7 or 8, in which said memory device is a nonvolatile and electrically alterable memory.
An aircraft control system according to Claim 25, further characterized by: the digital data processor including an alterable memory storing instructions received from the digital data bus and the digital data processor executing instructions stored by the alterable memory.
Flugsteuerungssystem für Flugmaschine nach Anspruch 25, weiter gekennzeichnet durch: den Prozessor für digitale Daten, der einen änderbaren Speicher beinhaltet, der vom Bus für digitale Daten empfangene Anweisungen speichert, und den Prozessor für digitale Daten, der vom änderbaren Speicher gespeicherte Anweisungen ausführt.