Non-volatile ferroelectric memory with folded bit lines and method of making same.
Nicht-flüchtiger ferroelektrischer Speicher mit gefalteten Bitleitungen und Verfahren zu dessen Herstellung.
Dynamic random access memory having bit lines buried in semiconductor substrate.
Dynamische Speicheranordnung mit wahlfreiem Zugriff mit Bitleitungen, die im Substrat vergraben sind.
Circuitry for coupling read flip-flops to bit lines in dynamic semi-conductor random access memories.
Schaltungsanordnung zur Ankopplung von Lese-Flip-Flops an Bit-Leitungen in dynamischen Halbleiter-Schreib-Lese-Speichern.
Reference voltage generator for precharging bit lines of a transistor memory.
Referenzspannungsgenerator zum Vorladen von Bit-Leitungen eines Transistorspeichers.
The memory circuit of claim 8 further including means for applying a substantially constant voltage to each of said bit lines.
Speicherschaltung nach Anspruch 8 mit Mitteln zum Anlegen einer im wesentlichen konstanten Spannung an jede Bitleitung.
The method of Claim 12 wherein the pre-charging comprises coupling the at least one of the bit lines to a supply voltage.
Verfahren nach Anspruch 12, wobei das Vorladen das Verbinden der mindestens einen Bitleitung mit einer Anschlussspannung aufweist.
Semiconductor memory device having reduced parasitic capacities between bit lines.
Halbleiterspeicheranordnung mit reduzierten parasitären Kapazitäten zwischen Bitleitungen.
Semiconductor memory device with transfer means between bit lines and data buses.
Halbleiterspeicheranordnung mit Übertragungsmittel zwischen Bitleitungen und Datensammelleitungen.
Integrated semiconductor memory circuit with dual use of bit lines.
Integrierte Halbleiterspeicherschaltung mit doppeltem Gebrauch der Bitleitungen.
Contacts for the word lines and bit lines are produced partly in a self-adjusting manner.
Die Erzeugung von Kontakten der Wortleitungen und der Bitleitungen erfolgt teilweise selbstjustiert.
The word and bit lines are driven to do so by appropriate control devices and controllers.
Die Wort- und Bitleitungen werden dazu durch entsprechende Steuereinrichtungen und Controller angesteuert.
Semiconductor memory with bit lines divided into blocks.
Halbleiterspeicher mit in Blöcken unterteilten Bitleitungen.
Between the word lines and the bit lines, an insulation structure is provided.
Zwischen den Wortleitungen und den Bitleitungen ist eine Isolationsstruktur vorgesehen.