A surface emission type semiconductor laser as defined in any one of claims 1 to 6 wherein the film thickness of said second clad layer at the areas other than said column-like portion or portions is within a predetermined range.
Oberflächenemittierender Halbleiterlaser nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem die Filmdicke der zweiten Deckschicht an den Flächen außerhalb des säulenartigen Abschnittes der säulenartigen Abschnitte in einem vorgegebenen Bereich liegt.
The method as defined in claim 3 or 4, wherein said first clad layer (104) has an absorption coefficient of 1000 cm -1 or less.
Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, bei dem die erste Deckschicht (104) einen Absorptionskoeffizienten von 1000 cm -1 oder weniger hat.
A method according to claim 3, wherein the step of forming said second clad layer is carried out by a molecular beam epitaxy method.
Verfahren nach Anspruch 3, bei dem der Schritt des Bildens der genannten zweiten Auskleidungsschicht durch ein Molekularstrahlepitaxieverfahren durchgeführt wird.
A method according to claim 1 or 2, wherein said second clad layer is a compound semiconductor, and at least one component content of said compound semiconductor is varied.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die genannte zweite Auskleidungsschicht ein Verbindungshalbleiter ist und wenigstens ein Komponentengehalt des genannten Verbindungshalbleiters variiert wird.
It features a thermal clad layer that dissipates heat in a highly efficient manner, while cooling components and increasing the overall performance of the products.
Es verfügt über eine thermische Mantelschicht, die die Wärme auf hocheffiziente Weise abführt, während die Komponenten gekühlt werden und die Gesamtleistung der Produkte erhöht wird.
As a result of this extreme high temperature the arc becomes extremely stable followed by a self detaching slag without leaving any slag residues on the clad layer.
Als Ergebnis dieser extremen hohen Temperatur wird der Lichtbogen extrem stabil, gefolgt von einer selbstablösenden Schlacke, ohne irgendwelche Schlackenreste auf der Mantelschicht zu hinterlassen.
An optical waveguide Y junction according to claim 1, wherein said waveguide paths are defined by core segments which are interposed between a substrate and upper clad layer.
Optischer Wellenleiter mit Y-Verzweigung nach Anspruch 1, wobei die Wellenleiterpfade definiert sind durch Kernsegmente, die zwischen einem Substrat und einer oberen Mantelschicht angeordnet sind.
A laser diode as set forth in claim 1, wherein a thickness of said third clad layer (41) is in a range of 0.1 to 0.7 µm.
Laserdiode nach Anspruch 1, wobei eine Dicke der dritten Mantelschicht (41) in einem Bereich von 0,1 bis 0,7 µm liegt.
A light emitting device according to claims 1 or 2, wherein the carrier concentration in said second clad layer (13) near the junction with said active layer (12) is 5 x 10¹⁶ cm⁻³ or more.
Licht-emittierende Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, worin die Trägerkonzentration in der zweiten Deckschicht (13) in der Nähe der Verbindung zur aktiven Schicht (12) bei 5 x 10¹⁶cm⁻³ oder darüber liegt.
A method of manufacturing an optical waveguide as defined in claim 1, wherein said steps of forming said lower clad layer (6) and said core formation layer (7) uses said source/sources selected from organic materials.
Verfahren der Herstellung eines optischen Wellenleiters nach Anspruch 1, wobei die Schritte zur Ausbildung der unteren Deckschicht (6) und der Kernbildungsschicht (7) die Quelle/Quellen verwendet, die aus organischen Materialien ausgewählt sind.
The device of claim 5, wherein said third region has mounted thereon a light receiving element (15) in opposition to the spaced apart end of the other of said two branch passages positioned at said other end edge of the clad layer (3).
Vorrichtung nach Anspruch 5, bei der auf der dritten Region ein Licht empfangendes Element (15) gegenüber dem beabstandeten Ende der anderen der zwei an der anderen Endkante der Mantelschicht (3) positionierten Zweigleitungen montiert ist.
A matrix display device as claimed in any one of claims 1 to 6, wherein said optical fiber (12,13) has a light cut-off layer (11) around a clad layer (12).
Matrixanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei der die optische Faser (12,13) eine Lichtsperrschicht (11) um eine Mantelschicht (12) hat.
An optical multiplexer/demultiplexer according to claim 2, characterized in that said island regions (30) are formed integrally with the clad layer (21) of the slab waveguide (13, 15).
Optischer Multiplexer/ Demultiplexer nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Inselbereiche (30) integral mit der Mantelschicht (21) des Plattenwellenleiters (13, 15) gebildet sind.