A surface emission type semiconductor laser as defined in any one of claims 1 to 6 wherein the film thickness of said second clad layer at the areas other than said column-like portion or portions is within a predetermined range.
Oberflächenemittierender Halbleiterlaser nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem die Filmdicke der zweiten Deckschicht an den Flächen außerhalb des säulenartigen Abschnittes der säulenartigen Abschnitte in einem vorgegebenen Bereich liegt.
The method as defined in claim 3 or 4, wherein said first clad layer (104) has an absorption coefficient of 1000 cm -1 or less.
Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, bei dem die erste Deckschicht (104) einen Absorptionskoeffizienten von 1000 cm -1 oder weniger hat.
A method according to claim 3, wherein the step of forming said second clad layer is carried out by a molecular beam epitaxy method.
Verfahren nach Anspruch 3, bei dem der Schritt des Bildens der genannten zweiten Auskleidungsschicht durch ein Molekularstrahlepitaxieverfahren durchgeführt wird.
A method according to claim 1 or 2, wherein said second clad layer is a compound semiconductor, and at least one component content of said compound semiconductor is varied.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die genannte zweite Auskleidungsschicht ein Verbindungshalbleiter ist und wenigstens ein Komponentengehalt des genannten Verbindungshalbleiters variiert wird.
It features a thermal clad layer that dissipates heat in a highly efficient manner, while cooling components and increasing the overall performance of the products.
Es verfügt über eine thermische Mantelschicht, die die Wärme auf hocheffiziente Weise abführt, während die Komponenten gekühlt werden und die Gesamtleistung der Produkte erhöht wird.
As a result of this extreme high temperature the arc becomes extremely stable followed by a self detaching slag without leaving any slag residues on the clad layer.
Als Ergebnis dieser extremen hohen Temperatur wird der Lichtbogen extrem stabil, gefolgt von einer selbstablösenden Schlacke, ohne irgendwelche Schlackenreste auf der Mantelschicht zu hinterlassen.
An optical waveguide Y junction according to claim 1, wherein said waveguide paths are defined by core segments which are interposed between a substrate and upper clad layer.
Optischer Wellenleiter mit Y-Verzweigung nach Anspruch 1, wobei die Wellenleiterpfade definiert sind durch Kernsegmente, die zwischen einem Substrat und einer oberen Mantelschicht angeordnet sind.
A laser diode as set forth in claim 1, wherein a thickness of said third clad layer (41) is in a range of 0.1 to 0.7 µm.
Laserdiode nach Anspruch 1, wobei eine Dicke der dritten Mantelschicht (41) in einem Bereich von 0,1 bis 0,7 µm liegt.
The optical waveguide fiber of any of the preceding claims wherein the core and the clad layer provide an effective area of between 90 µm 2 and 115 µm 2.
Optische Wellenleiterfaser gemäß einem der vorangegangen Ansprüche, wobei der Kern und die Mantelschicht eine Wirkfläche von zwischen 90 µm 2 und 115 µm 2 besitzen.
The semiconductor light-emitting device according to any one of claims 1 to 6, wherein said ridge-shape second conductive type second clad layer (108) is in a ridge portion, and a plurality of ridge portions are formed.
Lichtemittierende Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die stegförmige zweite Deckschicht (108) vom zweiten Leitungstyp in einem Stegabschnitt ist und mehrere Stegabschnitte ausgebildet sind.
A method of manufacturing an optical waveguide as defined in claim 1, wherein said steps of forming said lower clad layer (6) and said core formation layer (7) uses said source/sources selected from organic materials.
Verfahren der Herstellung eines optischen Wellenleiters nach Anspruch 1, wobei die Schritte zur Ausbildung der unteren Deckschicht (6) und der Kernbildungsschicht (7) die Quelle/Quellen verwendet, die aus organischen Materialien ausgewählt sind.
A light emitting device according to any of the preceding claims, further comprising a clad layer (2) disposed between said active layer (3) and said first electrode (1).
Lichtemittierendes Bauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, das weiter eine zwischen der aktiven Schicht (3) und der ersten Elektrode (1) angeordnete Deckschicht (2) umfaßt.
A semiconductor light amplifier according to claim 4 or 9, wherein said diffraction grating (9; 51) is formed on a boundary surface between said second clad layer (5) and said wave guide layer (6).
Halbleiter- Lichtverstärker nach Anspruch 4 oder 9, dessen optisches Beugungsgitter (9; 51) auf einer Grenzoberfläche zwischen der zweiten Mantelschicht (5) und der Wellenleitschicht (6) gebildet ist.