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Diffusionswiderstand
The diffusion resistor Rdif is formed along a particular line LI or along the particular additional line LO1, respectively, actually between the terminals for the field-oxide transistor FOX and for the field-controlled diode ZVT.
Der Diffusionswiderstand R ist entlang einer jeweiligen Leitung LI bzw. entlang der jeweiligen zusätzlichen Leitung LO1 ausgebildet, und zwar zwischen den Anschlüssen für den Feldoxidtransistor FOX und für die feldgesteuerte Diode ZVT.
The protection circuits PADIN, PADOUT in each case contain a field-oxide transistor FOX, a field-controlled diode ZVT and a diffusion resistor Rdif.
Die Schutzschaltungen PADIN, PADOUT enthalten jeweils einen Feldoxidtransistor FOX, eine feldgesteuerte Diode ZVT sowie einen Diffusionswiderstand R.
The sensor of claim 1 wherein said first diffusion resistor and said second diffusion resistor have a substantially identical layout shape.
A device for finding the concentration of a component in a gas mixture has a first partial volume in which the concentration of the component coupled to the concentration in the gas mixture via a diffusion resistor is kept constant in spite of the effect of this coupling.
Eine Vorrichtung zum Ermitteln der Konzentration einer Komponente in einer Gasmischung weist ein erstes Teilvolumen auf, in dem die Konzentration der Komponente gegen den Einfluß der über einen Diffusionswiderstand wirkenden Kopplung an die Konzentration in der Gasmischung konstant gehalten wird.
The sensor of claim 1 wherein: said first diffusion resistor has a longitudinal axis and has an end that forms a substantially linear interface (50) with said diffusion terminal; and said interface is substantially orthogonal to said longitudinal axis of said first diffusion resistor.
Sensor nach Anspruch 1, wobei der erste Diffusionswiderstand eine Längsachse aufweist, und ein Ende, das eine im wesentlichen lineare Grenzfläche (50) mit dem Diffusionsanschluss bildet; und die Grenzfläche im wesentlichen orthogonal zur Längsachse des ersten Diffusionswiderstandes ist.
A first correction circuit according to claim 1, wherein the two types of resistor elements are a polycrystalline silicon resistor element and a diffusion resistor element formed of polycrystalline silicon containing impurities incorporated thereto.
Erste Korrekturschaltung nach Anspruch 1, bei der die zwei Typen von Widerstandselementen ein Widerstandselement aus polykristallinem Silicium und ein Diffusionswiderstandselement, das aus polykristallinem Silicium gebildet ist, das darin eingearbeitete Störstellen enthält, sind.
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