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Löschen und Programmieren
It contains system-based routines for reliably erasing and programming nonvolatile memory chips.
Er beinhaltet systemnahe Routinen zum zuverlässigen Löschen und Programmieren der nicht-flüchtigen Speicherbausteine.
Both erasing and programming take about 4 to 10 ms (millisecond).
Sowohl Löschen und Programmieren dauert etwa 4 bis 10 ms (Millisekunde).
Method for erasing and programming memory devices
Verfahren zum Löschen und Programmieren von Speicheranordnungen
The write method of the non-volatile memory according to any one of claims 24 to 27, characterized in that: the pair of reference cells has a single-layered polysilicon structure; and erasing and programming of the pair of reference cells are performed using a tunnel current.
Schreibverfahren für den nichtflüchtigen Speicher nach einem der Ansprüche 24 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass: das Referenzzellenpaar eine einschichtige Polysiliziumstruktur aufweist; und das Löschen und das Programmieren des Referenzzellenpaars unter Verwendung eines Tunnelstroms durchgeführt werden.
The memory cell of claim 1, further comprising: a charge pump (85, 86, 92) to supply the erasing and programming voltages of the control means (80,100).
Speicherzelle nach Anspruch 1 mit ferner einer Ladungspumpe (85, 86, 92) zur Lieferung der Lösch- und Programmierspannungen der Steuereinrichtung (80,100).
Method and apparatus for providing erasing and programming protection for electrically erasable programmable read only memory
Verfahren und Vorrichtung zum Löschungs- und Programmierungsschutz eines elektrisch löschbaren und programmierbaren Nur-Lese-Speichers
The EEPROM according to claim 1, which additionally includes means for independently erasing and programming (411) said one or more reference memory cells to said one or more predetermined threshold levels from outside of said memory.
EEPROM nach Anspruch 1, das ferner Mittel (411) enthält zum unabhängigen Löschen und Programmieren der einen oder der mehreren Referenzspeicherzellen auf den einen oder die mehreren vorbestimmten Schwellenpegel von außerhalb des Speichers.
That is, unintentional disturbance of adjacent cells may result from operations on a single bit or cell. Interaction between adjacent cells also causes parasitic currents which interfere with the reading, erasing and programming of individual cells.
Eine Wechselwirkung zwischen be nachbarten Zellen führt auch zur Bildung von parasitären Strö men, welche die Lese-, Lösch- und Programmieroperationen ein zelner Zellen stören.
The PSD allows the MCU to operate the two memories concurrently, reading code from one while erasing and programming the other during IAP.
Das PSD lässt das MCU die zwei Gedächtnisse gleichzeitig laufen lassen und liest Code von einem bei der Auslöschung und der Programmierung der andere während IAP.
The driver implements the low-level routines for erasing and programming non-volatile memory devices using the standardized HIS Memory Device Interface.
Der Treiber beinhaltet die systemnahnen Routinen zum Löschen und Programmieren nicht flüchtiger Speicherbausteine. Dazu benutzt er die standardisierte HIS-Memory-Device-Schnittstelle.
Erasing and programming impose no load on the CPU
Keine Belastung der CPU durch Löschen und Programmieren
Flash Technology allows to program the controller chip even if it's mounted on a PCB ("In-System"). Erasing and programming can be done virtually without limits (10.000+ cycles).
Die Flash-Technologie ermöglicht die Programmierung des Controllerbausteins im eingebauten Zustand ("In-System"), und das mit nahezu beliebiger Häufigkeit (10.000+).
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Synoniemen voor erasing and programming in het Engels