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Programmieren und Löschen
Programmier- und Löschspannung
Semiconductor memory device and method for programming and erasing a memory cell
Each time operations are performed, e.g. programming and erasing the cell, the oxide layer that traps electrons on the floating gate wears.
Jedes Mal, wenn Operationen auf einer SSD ausgeführt werden, wie beispielsweise Beschreiben oder Löschen der Zelle, wird die Oxidschicht, die die Elektronen auf dem Floating Gate gefangen hält, geschwächt.
The non-volatile semiconductor memory according to claim 6, characterized in that the power supply circuit (19) generates a plurality of higher voltages and a plurality of lower voltages than a power supply voltage during programming and erasing data, respectively.
Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Leistungsversorgungsschaltung (19) jeweils eine Vielzahl von höheren Spannungen und eine Vielzahl von niedrigeren Spannungen als die Leistungsversorgungsspannung während eines Programmierens und Löschen von Daten erzeugt.
The array of claim 1, wherein said energy-level of said programming and erasing pulsed electric fields is controlled by varying voltages applied to said wordlines (15) and at least one of said source-column lines (17) and said drain-column lines (19).
Matrix nach Anspruch 1, bei der der Energiepegel der impulsartigen elektrischen Programmier- und Löschfelder durch Verändern der Spannungen gesteuert wird, die an die Wortleitungen (15) und wenigstens eine der Sourcespaltenleitungen (17) und der Drainspaltenleitungen (19) angelegt werden.
After finishing a function the program normally returns to the previous item of the main menu, i.e. after finishing programming and erasing the checksum display by any key, the display returns to "program", and the next EPROM can be programmed immediately.
Nach Abarbeitung der Funktion erfolgt normalerweise ein Rücksprung ins Hauptmenü an die ursprüngliche Stelle, d.h. nach Abschluß einer Programmierung und Löschen der Prüfsumme durch irgendeine Taste erscheint wieder "Programmieren" und es kann sofort das nächste EPROM programmiert werden.
A large variation in the programming and erasing characteristics of individual NAND type flash memory transistors among a memory array is common.
The system's Tester-Per-Site architecture enables high throughput and the industry's highest device power supply current per DUT speeds up programming and erasing operations.
Die Tester-Per-SiteTM Architektur des Systems ermöglicht einen hohen Durchsatz und durch den sehr hohen Strom pro DUT lassen sich die Programmier- und Lösch-Operationen beschleunigen.
EEPROM and method for programming and erasing of an EEPROM
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