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etching the first
Vertaling van "etching the first" in Duits
Ätzen der ersten
The method of claim 29, wherein etching the first electrically insulative layer uses the first electrically conductive layer as an etch stop.
Verfahren nach Anspruch 29, wobei das Ätzen der ersten elektrisch nichtleitenden Schicht die erste elektrisch leitende Schicht als Ätzstopp einsetzt.
The method of claim 25, wherein forming the one or more gas distribution grooves comprises etching the first electrically insulative layer, the first electrically conductive layer, and the semiconductor platform.
Verfahren nach Anspruch 25, wobei das Bilden einer oder mehr Gasverteilungsnuten das Ätzen der ersten elektrisch nichtleitenden Schicht, der ersten elektrisch leitenden Schicht und der Halbleiterplattform umfasst.
The method of claim 29, further comprising forming a protective layer over the semiconductor platform after the first electrically insulative layer is formed thereover, and wherein etching the first electrically insulative layer uses the protective layer as an etch stop.
Verfahren nach Anspruch 29, ferner umfassend das Bilden einer Schutzschicht über der Halbleiterplattform, nachdem die erste elektrisch nichtleitende Schicht darüber gebildet ist und wobei das Ätzen der ersten elektrisch nichtleitenden Schicht die Schutzschicht als Ätzstopp einsetzt.
The method of any of claims 1 to 6, wherein the step of removing part of the first field oxide layer (20) comprises one of: etching the first field oxide layer (20) with hydrogen fluoride.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem der Schritt des Entfernens eines Teils der ersten Feldoxidschicht (20) umfasst: Ätzen der ersten Feldoxidschicht (20) mit Fluorwasserstoff.
The method of claim 1, 2 or 3 wherein the channel (405) is formed by etching the first silicon substrate (401).
Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei der Kanal (405) durch Ätzen der ersten Silizium-Grundsubstanz (401) gebildet wird.
A semiconductor device fabrication process as claimed in claim 1 or claim 3, wherein the windows included in the first covering are made by applying a mask to the first covering and etching the first covering over selected areas defined by the mask.
Ein Halbleiterkomponenten-Herstellungsverfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 3, bei dem die in der ersten Abdeckung vorgesehenen Fenster durch Anwenden einer Maske bezüglich der ersten Abdeckung und Ätzen der ersten Abdeckung über ausgewählten, von der Maske definierten Bereichen hergestellt werden.
A method as claimed in claim 1, including the step of etching the first set of apertures larger after the ejector-defining step.
Verfahren nach Anspruch 1, welches den Schritt des Vergrößerungs-Ätzens der ersten Gruppe von Öffnungen nach dem Schritt des Definierens der Ausstoßvorrichtungen umfaßt.
A dry etching method according to claim 1, characterised in that after etching the first layer, the etching may be continued to etch the underlying polycrystal silicon until complete removal of said first layer.
Trockenätzverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß nach der Ätzung der ersten Schicht die Ätzung fortgesetzt wird, um das darunterliegende polykristalline Silizium zu ätzen, bis zur vollständigen Entfernung der ersten Schicht.
The method according to claim 1, wherein the step of patterning and etching the first conductive layer and the barrier layer further comprises the step of patterning and etching such layers so that the conductive region forms the shape of a ring.
Verfahren nach Anspruch 1, bei welchem der Schritt des Musterns und Ätzens der ersten leitenden Schicht und der Sperrschicht weiter den Schritt aufweist, wonach derartige Schichten gemustert und geätzt werden, so daß der leitende Bereich die Gestalt eines Ringes ausbildet.
A method according to claim 7, including the steps of etching the first inter-level insulating film covering the first gate structure to form side walls on both sides of the first gate structure.
Verfahren nach Anspruch 7, umfassend die Schritte des Ätzens der ersten isolierenden Zwischenschicht, welche den ersten Gateaufbau bedeckt, um die Seitenwände auf beiden Seiten des ersten Gateaufbaus zu bilden.
The method of claims 2 wherein said first layer opening forming step is by laser ablating or reactive ion etching the first layer of polymeric material.
Verfahren nach Anspruch 2, wobei der Schritt zur Bildung der Öffnung in der ersten Schicht durch Laserablation oder reaktives Ionenätzen der ersten Schicht aus polymerem Material erfolgt.
The method of claim 4 further comprising planarize etching the first conductive material layer downwardly to at least the upper surface (31) of the insulating material layer.
Verfahren nach Anspruch 4, ferner umfassend ein Planarisierungsätzen der ersten leitenden Materialschicht nach unten wenigstens bis zu der oberen Oberfläche (31) der isolierenden Materialschicht.
The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 7, wherein a speed of etching the first insulating layer (5) and the second insulating layer (7) is lower than a speed of etching the third insulating layer (9).
Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7, wobei eine Geschwindigkeit eines Ätzens der ersten Isolierschicht (5) und der zweiten Isolierschicht (7) niedriger als eine Geschwindigkeit eines Ätzens der dritten Isolierschicht (9) ist.
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Synoniemen voor etching the first in het Engels
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