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the first etching
Vertaling van "the first etching" in Duits
das erste Ätzen
des ersten Ätzabschnittes
im ersten Ätzschritt
beim ersten Ätzschritt
der erste Ätzprozess
The method of any preceding claim, wherein the first etching is carried out at a first pressure and the second etching is carried out at a second pressure, the second pressure being lower than the first pressure.
Das Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das erste Ätzen bei einem ersten Druck ausgeführt wird und das zweite Ätzen bei einem zweiten Druck ausgeführt wird, wobei der zweite Druck niedriger ist als der erste Druck.
The method of claim 4 wherein the first etching is performed with an oxide etchant gas, and wherein the second etching is performed using a nitride etchant gas.
Verfahren nach Anspruch 4, wobei das erste Ätzen mit einem Oxidätzgas durchgeführt wird und wobei das zweite Ätzen unter Verwendung eines Nitridätzgases durchgeführt wird.
After the first etching, the motif is matte and has a closed structure.
Nach dem ersten Ätzgang ist das Motiv Matt und hat eine geschlossene Struktur.
A preferred embodiment contains two etching periods, whereby a higher accelerator voltage is used during the first etching period than during the second etching period.
Bevorzugt sind zwei Ätzabschnitte vorgesehen, wobei während des ersten Ätzabschnittes eine höhere Beschleunigungsspannung verwendet wird als währen des zweiten Ätzschrittes.
A method according to claim 1, wherein the first etching step includes the step of exposing said polysilicon film to a medium containing phosphoric acid.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei der erste Ätzschritt den Schritt Aussetzen des Polysiliziumfilms einem Medium, welches eine Phosphorsäure enthält, aufweist.
An etching method as set forth in claim 7, characterized in that grooves are also formed in at least one of said other zones during the first etching step.
Ätzverfahren gemäss Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass während des ersten Ätzschrittes Furchen ebenfalls in zumindest einer der benannten anderen Zonen gebildet werden.
The method as claimed in claim 4, wherein the first etching process and the second etching process are plasma etching processes.
Verfahren nach Anspruch 4, bei dem der erste Ätzprozess und der zweite Ätzprozess Plasmaätzprozesse sind.
The method is carried out with only two consecutive etching steps, an etching mask (10) only being required in the first etching step.
Das Verfahren wird mit nur zwei aufeinanderfolgenden Ätzschritten durchgeführt, bei dem nur im ersten Ätzschritt eine Ätzmaske (10) benötigt wird.
method according to any one of claims 1 to 6, wherein the first etching process and/ or the second etching process is an anisotropic etching method/ is.
A Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem das erste Ätzverfahren und/oder das zweite Ätzverfahren ein anisotropes Ätzverfahren sind/ist.
A method as claimed in claim 1, 2 or 3, wherein the first etching process is performed at a temperature lower than a softening point of the resist layer (2).
Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, bei welchem das erste Ätzverfahren bei einer Temperatur unter dem Erweichungspunkt der Resistschicht (2) durchgeführt wird.
A dry etching method according to claim 1, characterised in that in the first etching step, the third gas added to the etching gas in an amount of up to 10 volume% of the whole amount of the etching gas.
Trockenätzverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in dem ersten Ätzschritt das dritte Gas dem Ätzgas in einer Menge von bis zu 10 Vol.-% der Gesamtmenge an Ätzgas hinzugefügt wird.
A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the selectivity of the etch rate of the first etching step is 10 or more, and wherein the selectivity ratio of the etch rate of the second etching step is about 1 to 2.
Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die Trennschärfe der Ätzrate beim ersten Ätzschritt 10 oder mehr ist, und wobei das Trennschärfeverhältnis der Ätzrate des zweiten Ätzschrittes ungefähr 1:2 beträgt.
As soon as a barrier layer (12, 14, 14', 16) buried between the first silicon layer (15) and another silicon layer (17) is reached, the first etching process virtually comes to a stop (17).
Der erste Ätzprozeß kommt nahezu zum Erliegen, sobald eine zwischen der ersten Siliziumschicht (15) und einer weiteren Siliziumschicht (17) vergrabene Trennschicht (12, 14, 14', 16) erreicht wird.
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Synoniemen voor the first etching in het Engels
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