We konden deze vermelding niet vinden. Er worden benaderende resultaten weergegeven. Controleer je spelling of stel voor deze term aan het woordenboek toe te voegen.
The array of any preceding claim, wherein the first confinement layer and the disordered regions are of n-type conductivity, and wherein the second confinement layer is of p-type conductivity.
Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die erste Begrenzungsschicht und die fehlgeordneten Bereiche n-leitend sind, und wobei die zweite Begrenzungsschicht p-leitend ist.
The array of any preceding claim, further comprising fresnel lenses (164) etched over the light-emitting areas on the exposed surface of the first confinement layer.
Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, die weiterhin Fresnellinsen (164) umfaßt, die über die Leuchtgebiete auf der freiliegenden Oberfläche der ersten Begrenzungsschicht geätzt sind.
An array as claimed in claim 1, wherein said substrate, said first confinement layer and said disordered regions have n-type conductivity and said second confinement layer and said contact layer have p-type conductivity.
Feld nach Anspruch 1, wobei das Substrat der ersten Begrenzungsschicht und die ungeordneten Bereiche eine Leitfähigkeit vom n-Typ besitzen und die zweite Begrenzungsschicht und die Kontaktschicht eine Leitfähigkeit vom p-Typ besitzen.
The photo-conductive switch (400,500) of one of the preceding claims, additionally comprising a mirror layer (456) on a surface of the first confinement layer (208).
Photoleitfähiger Schalter (400,500) nach einem der vorangehenden Ansprüche, der ferner eine Spiegelschicht (456) an der Oberfläche der ersten Grenzschicht (208) umfaßt.
Method according to Claim 17, characterized in that the mask (502) can move with respect to the pad (500) parallel to the surface of the first confinement layer (501).
Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Maske (502) bezüglich des Stopfens (500) parallel zu der Oberfläche der ersten Begrenzungsfläche (501) beweglich ist.
Method according to Claim 14, characterized in that the etching of at least one opening (29) in the first confinement layer also takes place depthwise in the substrate (1).
Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Ätzen wenigstens einer Öffnung (29) in der ersten Begrenzungsschicht ebenfalls in der Tiefe in dem Substrat (1) durchgeführt wird.
Potentieel gevoelige of ongepaste informatie
Er worden alleen voorbeelden gegeven om u te helpen het woord of de woordcombinatie waarop u hebt gezocht, te vertalen. Deze worden niet door ons geselecteerd of gevalideerd en kunnen ongepaste taal bevatten. Wij vragen u melding te maken van voorbeelden die dienen te worden aangepast of verwijderd. Vertalingen met grof of informeel taalgebruik worden meestal rood of oranje gemarkeerd.
Er zijn geen resultaten gevonden voor deze term.
Synoniemen voor first confinement layer in het Engels