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The method as claimed in claim 4, wherein the first etching process and the second etching process are plasma etching processes.
Verfahren nach Anspruch 4, bei dem der erste Ätzprozess und der zweite Ätzprozess Plasmaätzprozesse sind.
The method as claimed in claim 6, wherein said first etching process has a higher selectivity with respect to the etch stop layer than said second etching process.
Verfahren nach Anspruch 6, bei dem der erste Ätzprozess eine höhere Selektivität bezüglich der Ätzstoppschicht aufweist als der zweite Ätzprozess.
method according to any one of claims 1 to 6, wherein the first etching process and/ or the second etching process is an anisotropic etching method/ is.
A Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem das erste Ätzverfahren und/oder das zweite Ätzverfahren ein anisotropes Ätzverfahren sind/ist.
A method as claimed in claim 1, 2 or 3, wherein the first etching process is performed at a temperature lower than a softening point of the resist layer (2).
Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, bei welchem das erste Ätzverfahren bei einer Temperatur unter dem Erweichungspunkt der Resistschicht (2) durchgeführt wird.
The covering layer (5) is pierced in the areas that are not covered by the structured masking layer (6) by a first etching process.
Die Abdeckschicht (5) wird in den nicht von der strukturierten Maskenschicht (6) bedeckten Bereichen mittels eines ersten Ätzprozesses geöffnet.
As soon as a barrier layer (12, 14, 14', 16) buried between the first silicon layer (15) and another silicon layer (17) is reached, the first etching process virtually comes to a stop (17).
Der erste Ätzprozeß kommt nahezu zum Erliegen, sobald eine zwischen der ersten Siliziumschicht (15) und einer weiteren Siliziumschicht (17) vergrabene Trennschicht (12, 14, 14', 16) erreicht wird.
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Synoniemen voor first etching process in het Engels