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of said memory cell array
Vertaling van "of said memory cell array" in Duits
des Speicherzellenfeldes
der Speicherzellenanordnung
der Speicherzellenmatrix
A device according to claim 1 or 2, characterized in that the drain regions of the adjacent memory cell transistors of said memory cell array are commonly used.
Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Drainbereiche der nebeneinanderliegenden Speicherzellentransistoren des Speicherzellenfelds gemeinsam benutzt sind.
The semiconductor memory device according to one of claims 1 to 3, wherein said specific memory region is a portion of a real address space of said memory cell array.
Die Halbleiterspeichervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der der spezifische Speicherbereich ein Abschnitt eines Realadressraumes des Speicherzellenfeldes ist.
The ferroelectric memory according to claim 3, further comprising an equalization circuit, configured to equalize a bit line of said memory cell array to a predetermined potential in the predetermined period.
Der ferroelektrische Speicher nach Anspruch 3, ferner umfassend eine Ausgleichsschaltung, die konfiguriert ist, eine Bitleitung des Speicherzellenfeldes zu einem vorbestimmten Potenzial in der vorbestimmten Periode auszugleichen.
The invention relates to a dynamic memory comprising a memory cell array (10), a test controller (12) for testing the memory cell array (10) and an oscillator (14) for controlling the refreshing of said memory cell array (10).
Die Erfindung betrifft einen dynamischen Speicher mit einem Speicherzellenfeld (10) einem Testkontroller (12) zum Testen des Speicherzellenfeldes (10) und einem Oszillator (14) zum Steuern eines Auffrischens des Speicherzellenfeldes (10).
A device as claimed in claim 1, characterized in that said differential circuit (201) compares the output current of said memory cell array (103) with the output current of said reference circuit (106).
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Differenzschaltung (201) den Ausgabestrom des Speicherzellfeldes (103) mit dem Ausgabestrom der Bezugsschaltung (106) vergleicht.
The semiconductor memory device as claimed in claim 6, wherein the defective address stored in said defective address memory (504) is a portion of the address of each defective memory cell of said memory cell array (501).
Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 6, bei welcher die fehlerhafte Adresse, die in dem Speicher (504) für fehlerhafte Adressen gespeichert ist, ein Teil der Adresse jeder fehlerhaften Speicherzelle des Speicherzellen-Array (501) ist.
The device as claimed in claims 1 or 2, wherein said first and second drivers are provided only in a middle area of said each of said memory cell array blocks.
Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der erste und der zweite Treiber nur in einem mittleren Bereich des jeden der Speicherzellenfeld-Blöcke vorgesehen sind.
An electrically programmable semiconductor memory device according to claim 3, characterized by further comprising block decoder means (218,219) for accessing each of said memory cell array blocks.
Elektrisch programmierbare Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß sie ferner eine Blockdekodereinrichtung (218,219) für einen Zugriff auf jeden von den Speicherzellenanordnungsblöcken aufweist.
A semiconductor memory in accordance with claim 1, wherein said spare decoder is a spare row decoder for decoding the row address of said memory cell array.
Halbleiterspeicher nach Anspruch 1, bei dem der Zusatzdecodierer ein Zusatzzeilendecodierer zum Decodieren der Zeilenadresse des Speicherzellenfeldes ist.
A semiconductor memory device according to claim 15, wherein each memory cell array of said memory cell array means (1) includes dynamic random-access memory (RAM) cells.
Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 15, bei der jedes Speicherzellenarray der genannten Speicherzellenarrayeinrichtungen (1) dynamische Speicherzellen mit wahlfreiem Zugriff (RAM) enthält.
A semiconductor memory device according to claim 13, characterized in that said same data is "0" and data stored in each of the memory cells (MC) of said memory cell array section (50B) is cleared.
Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet , daß das selbe Datum "0" ist, und daß die Daten, die in jeder der Speicherzellen (MC) des Speicherzellenfeldabschnitts (50B) gespeichert sind, gelöscht werden.
The system of claim 1, wherein said first and second voltages are delivered via a line to each row of said memory cell array (30).
System nach Anspruch 1, in dem die erste und die zweite Spannung über eine Leitung an jede Zeile der Speicherzellenmatrix (30) geliefert werden.
A semiconductor memory device according to claim 6, wherein data transfer can be carried out in addition to a refresh operation of said memory cell array units (a₀, a₁, ...).
Halbleiterspeicheranordnung nach Anspruch 6, worin eine Datenübertragung zusätzlich zu einer Refresh-Operation der Speicherzellenmatrix-Einheiten (a₀, a₁, ...) ausgeführt werden kann.
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