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of said memory cell array
Vertaling van "of said memory cell array" in Duits
des Speicherzellenfeldes
der Speicherzellenanordnung
der Speicherzellenmatrix
The semiconductor memory device according to one of claims 1 to 3, wherein said specific memory region is a portion of a real address space of said memory cell array.
Die Halbleiterspeichervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der der spezifische Speicherbereich ein Abschnitt eines Realadressraumes des Speicherzellenfeldes ist.
The ferroelectric memory according to claim 3, further comprising an equalization circuit, configured to equalize a bit line of said memory cell array to a predetermined potential in the predetermined period.
Der ferroelektrische Speicher nach Anspruch 3, ferner umfassend eine Ausgleichsschaltung, die konfiguriert ist, eine Bitleitung des Speicherzellenfeldes zu einem vorbestimmten Potenzial in der vorbestimmten Periode auszugleichen.
The invention relates to a dynamic memory comprising a memory cell array (10), a test controller (12) for testing the memory cell array (10) and an oscillator (14) for controlling the refreshing of said memory cell array (10).
Die Erfindung betrifft einen dynamischen Speicher mit einem Speicherzellenfeld (10) einem Testkontroller (12) zum Testen des Speicherzellenfeldes (10) und einem Oszillator (14) zum Steuern eines Auffrischens des Speicherzellenfeldes (10).
A semiconductor memory in accordance with claim 1, wherein said spare decoder is a spare row decoder for decoding the row address of said memory cell array.
Halbleiterspeicher nach Anspruch 1, bei dem der Zusatzdecodierer ein Zusatzzeilendecodierer zum Decodieren der Zeilenadresse des Speicherzellenfeldes ist.
The system of claim 1, wherein said first and second voltages are delivered via a line to each row of said memory cell array (30).
System nach Anspruch 1, in dem die erste und die zweite Spannung über eine Leitung an jede Zeile der Speicherzellenmatrix (30) geliefert werden.
A device according to claim 1 or 2, characterized in that the drain regions of the adjacent memory cell transistors of said memory cell array are commonly used.
Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Drainbereiche der nebeneinanderliegenden Speicherzellentransistoren des Speicherzellenfelds gemeinsam benutzt sind.
A device as claimed in claim 1, characterized in that said differential circuit (201) compares the output current of said memory cell array (103) with the output current of said reference circuit (106).
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Differenzschaltung (201) den Ausgabestrom des Speicherzellfeldes (103) mit dem Ausgabestrom der Bezugsschaltung (106) vergleicht.
The system of claim 1, and further comprising a plurality of said level shifters (50), one for each row of said memory cell array (30).
System nach Anspruch 1, ferner mit mehreren der Pegelschieber (50), einen für jede Zeile der Speicherzellenmatrix (30).
A semiconductor memory according to any of the preceding claims, characterized by further comprising: a precharge circuit (100) for precharging the lines of a selected bit line pair of said memory cell array with electric charges to different potentials in a precharge period.
Halbleiterspeicher nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß er weiterhin folgendes aufweist: eine Vorladeschaltung (100) zum Vorladen der Leitungen eines ausgewählten Bitleitungspaars, der Speicherzellenanordnung mit elektrischen Ladungen auf unterschiedliche Potentiale in einer Vorladeperiode.
A semiconductor memory device according to claim 6, wherein data transfer can be carried out in addition to a refresh operation of said memory cell array units (a₀, a₁, ...).
Halbleiterspeicheranordnung nach Anspruch 6, worin eine Datenübertragung zusätzlich zu einer Refresh-Operation der Speicherzellenmatrix-Einheiten (a₀, a₁, ...) ausgeführt werden kann.
The semiconductor memory device as claimed in claim 6, wherein the defective address stored in said defective address memory (504) is a portion of the address of each defective memory cell of said memory cell array (501).
Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 6, bei welcher die fehlerhafte Adresse, die in dem Speicher (504) für fehlerhafte Adressen gespeichert ist, ein Teil der Adresse jeder fehlerhaften Speicherzelle des Speicherzellen-Array (501) ist.
A semiconductor memory device according to claim 15, wherein each memory cell array of said memory cell array means (1) includes dynamic random-access memory (RAM) cells.
Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 15, bei der jedes Speicherzellenarray der genannten Speicherzellenarrayeinrichtungen (1) dynamische Speicherzellen mit wahlfreiem Zugriff (RAM) enthält.
The programmable semiconductor memory apparatus according to claim 1, characterized in that all word lines (W1, W2, ...) of said memory cell array (1, 2, 3) are made non-active when the identifying code is read out.
Programmierbare Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sämtliche Wortleitungen (W1, W2, ...) der Speicherzellenanordnung (1, 2, 3) deaktiviert werden, wenn der Kenncode ausgelesen wird.
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