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pattern mask
Vertaling van "pattern mask" in Duits
Mustermaske
Muster-Maskierungs-Daten
A protected pattern mask of claim 7 wherein two pellicles are mounted on opposite faces of the substrate.
Geschützte Mustermaske nach Anspruch 7, bei welcher zwei Häute an gegenüberliegenden Seiten des Substrats angebracht sind.
The process for producing a multilayer organic nonlinear optical crystal according to claim 57, wherein said pattern mask is formed by lithography using active electromagnetic wave.
Verfahren zur Herstellung eines mehrschichtigen organischen nichtlinearen optischen Kristalls nach Anspruch 57, wobei die Mustermaske durch Lithographie mit aktiven elektromagnetischen Wellen gebildet wird.
A method according to any preceding claim wherein said pattern mask (35) is made of silicon oxide, silicon nitride, a photo-resist or a metal.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Mustermaske (35) aus Siliciumoxid, Siliciumnitrid, einem Photoresist oder Metall besteht.
The magnetic recording medium according to claim 1 or 2, characterized in that the servo-signals (21, 22) are recorded in the layer containing a dye, by irradiating electron beam through a pattern mask corresponding to the servo-signals (21; 22).
Magnetisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Regelungssignale (21, 22) durch Einstrahlen eines Elektronenstrahls durch eine den Regelungssignalen (21, 22) entsprechende Mustermaske in der einen Farbstoff enthaltenden Schicht aufgezeichnet wurden.
The process for producing a multilayer organic nonlinear optical crystal according to claim 24, comprising a step of etching one of said noncentrosymmetric organic single crystal layers after forming a pattern mask thereon.
Verfahren zur Herstellung eines mehrschichtigen organischen nichtlinearen optischen Kristalls nach Anspruch 24, das den Schritt des Ätzens einer der nichtzentrosymmetrischen organischen Einkristallschichten umfaßt, nachdem darauf eine Mustermaske ausgebildet worden ist.
The method of claim 11 wherein selectively removing the spacer particles comprises: - exposing the photosensitive material with an exposure source through a pattern mask; and - developing the photosensitive material to selectively remove portions of the photosensitive material along with the spacer particles thereon.
Verfahren nach Anspruch 11, wobei das selektive Entfernen der Abstandshalterpartikel Folgendes aufweist: - Belichten des photosensitiven Materials mit einer Belichtungsquelle durch eine Strukturmaske hindurch und - Entwickeln des photosensitiven Materials, um selektiv Abschnitte des photosensitiven Materials zusammen mit den darauf befindlichen Abstandshalterpartikeln zu entfernen.
A method as claimed in claim 14, 15 or 16, wherein said circuit pattern mask is made of a polyester, development is carried out by means of an aqueous sodium carbonate solution and etching is carried out by means of a ferric chloride solution.
Verfahren gemäß den Ansprüchen 14, 15 oder 16, bei dem die Leitermustermaske hergestellt ist aus einem Polyester, das Entwickeln durchgeführt wird mit Hilfe einer wäßrigen Natriumcarbonatlösung und das Ätzen ausgeführt wird mittels einer Eisenchloridlösung.
Each model is equipped with two monochrome GigE uEye cameras with 1.3 MP or 5 MP CMOS sensors and a projector that uses a pattern mask to project high-contrast textures onto the object to be captured.
Jedes Modell verwendet jeweils zwei CMOS-Sensoren sowie einen Projektor, der Hilfsstrukturen auf das aufzunehmende Objekt projiziert. Das Ensenso Verfahren Wie funktionieren Ensenso 3D Kameras?
The printed circuit pattern mask is laid on top of the photoresist and the panels are exposed to ultraviolet light.
Die gedruckte Schaltungsmustermaske wird auf den Photoresist gelegt und die Platten werden mit ultraviolettem Licht belichtet.
A piezo element is used to move the pattern mask in the light beam which shifts the texture on the object.
Zur Verschiebung der Textur wird ein Piezo Element verwendet, das die Patternmaske im Lichtstrahl verschieben kann.
A pattern mask pellicle of claim 2 wherein the gasket consists essentially of an anomalous liquid.
Mustermaskenhaut nach Anspruch 2, bei welcher die Dichtung im wesentlichen eine anomale Flüssigkeit aufweist.
Each model has two integrated CMOS sensors and a projector that casts high-contrast textures onto the object to be captured by using a pattern mask.
Jedes Modell verwendet jeweils zwei CMOS-Sensoren sowie einen Projektor, der Hilfsstrukturen auf das aufzunehmende Objekt projiziert.
A method according to Claim 11, wherein said pattern mask data defines a mask pattern having a size larger than a size of each block of said array.
Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Muster-Maskierungs-Daten ein Maskierungs-Muster definieren, das eine Größe größer als eine Größe jedes Blocks des Felds hat.
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Synoniemen voor pattern mask in het Engels
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